[实用新型]一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管有效
| 申请号： | 201721924923.1 | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN207637804U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;左勇强;易琼红 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L29/417;H01L23/29 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射区 绝缘介质层 二次击穿 大电流 底子层 衬底 本实用新型 功率晶体管 金属层 覆盖 半导体器件 高电压输出 衬底正面 二氧化硅 基区金属 聚酰亚胺 磷硅玻璃 三重扩散 优化器件 氮化硅 钝化层 增压环 元胞 制造 | ||
1.一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区包括若干个NPN型元胞单元，所述NPN型元胞单元包括N+型衬底（3）、位于N+型衬底（3）背面的金属层（1）及位于N+型衬底（3）正面的N-型第一衬底子层（4），在所述N-型第一衬底子层（4）内设有P型基区（5），在P型基区（5）上覆盖有基区金属层（11）；在所述P型基区（5）内设有N+发射区（6），在N+发射区（6）上方盖有发射区金属层（7），其特征在于，在N+发射区（6）四周设有N+型环（10）；在P型基区（5）的四周设有P+增压环（9）；所述N-型第一衬底子层（4）上方覆盖有绝缘介质层（8），所述绝缘介质层（8）从下到上依次为磷硅玻璃（81）、二氧化硅（82）和氮化硅（83），所述绝缘介质层（8）上方覆盖有聚酰亚胺钝化层（2）。
2.根据权利要求1所述的一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管，其特征在于，所述发射区金属层（7）和基区金属层（11）间通过绝缘介质层（8）和聚酰亚胺钝化层（2）隔离。
3.根据权利要求1所述的一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管，其特征在于，所述N+型环（10）位于P型基区（5）内。
4.根据权利要求1所述的一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管，其特征在于，所述P型基区（5）的结深不超过N-型第一衬底子层（4）的宽度，所述N+发射区（6）的结深不超过P型基区（5）的结深。
5.根据权利要求1所述的一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管，其特征在于，所述N+型环（10）和N+发射区（6）的结深和掺杂浓度均相同，且是同一层工艺形成的。
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