[实用新型]双面电容器有效
| 申请号： | 201720907622.1 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN207503971U | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双面电容器，所述双面电容器包括：半导体衬底，形成有多个内存数组结构中焊盘；双面电容器阵列，形成于所述第一焊盘上，所述双面电容器包括双U型的第一导电层及第二导电层、电容介质以及第三导电层。本实用新型以多重图案方法以及边界工艺强化的支撑架结构，制造出六方阵列排布的双U型下电极的双面电容器，具有较大的高度与宽度比，可有效提高单位面积下的电容值。 1 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 本实用新型 双U型 焊盘 第二导电层 第一导电层 电容器阵列 支撑架结构 电容介质 多重图案 工艺强化 内存数组 阵列排布 电容 导电层 宽度比 下电极 衬底 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种双面电容器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘；
双面电容器阵列，形成于所述焊盘上，所述双面电容器包括：
第一导电层及第二导电层，所述第一导电层与所述焊盘接触，所述第一导电层的截面形状为第一U型结构，所述第二导电层的主要截面形状为第二U型结构，所述第二U型结构位于所述第一U型结构内侧且与所述第一U型结构之间具有间隔，所述第一U型结构与所述第二U型结构的顶端相连形成闭合结构，所述闭合结构中具有缺口；
电容介质，覆盖于所述第一导电层及第二导电层内表面及外表面；以及
第三导电层，覆盖于所述电容介质外表面。
2.根据权利要求1所述的双面电容器，其特征在于：所述双面电容器阵列呈六方阵列排布。3.根据权利要求1所述的双面电容器，其特征在于：所述双面电容器的高度与宽度的比为5～20，所述双面电容器的高度范围为0.5～5μm。4.根据权利要求1至3任一项所述的双面电容器，其特征在于：所述第二导电层另具有由所述第二U型结构的顶端延伸的连接部，以与所述第一U型结构相连形成闭合结构。5.根据权利要求4所述的双面电容器，其特征在于：用以提供所述缺口的介电薄膜覆盖所述第二导电层的所述连接部。
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