[实用新型]一种包覆型芯片尺寸封装结构

摘要

本实用新型公开了一种包覆型芯片尺寸封装结构，属于半导体封装技术领域。其硅基本体（111）的正面设置钝化层（210），芯片电极（113）由背面嵌入硅基本体（111）的正面，所述钝化层（210）的上表面设置介电层Ⅰ（310），所述介电层Ⅰ（310）不覆盖到钝化层（210）的边缘；所述芯片电极（113）的上表面设置凸块底部金属，所述凸块底部金属由下而上依次包括金属种子层Ⅰ（410）、金属层Ⅰ（510），并在金属层Ⅰ（510）上设置焊球（600）；所述硅基本体（111）的四周和背面设置包封层Ⅰ（121），所述包封层Ⅰ（121）向上延展覆盖钝化层（210）的裸露部分，其上表面与介电层Ⅰ（310）的上表面齐平，以实现侧壁绝缘保护、不易漏电或短路、避免芯片偏移带来的光刻偏移。

主权项

一种包覆型芯片尺寸封装结构，其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），所述硅基本体（111）的正面设置钝化层（210）并开设钝化层开口（213），所述芯片电极（113）由背面嵌入硅基本体（111）的正面，所述钝化层开口（213）露出芯片电极（113）的正面，其特征在于，所述钝化层（210）的上表面设置介电层Ⅰ（310）并开设介电层Ⅰ开口（311），所述介电层Ⅰ开口（311）露出芯片电极（113）的正面，所述介电层Ⅰ（310）不覆盖到钝化层（210）的边缘；所述芯片电极（113）的上表面设置凸块底部金属，所述凸块底部金属由下而上依次包括金属种子层Ⅰ（410）、金属层Ⅰ（510），并在金属层Ⅰ（510）上设置焊球（600）；所述硅基本体（111）的四周和背面设置包封层Ⅰ（121），所述包封层Ⅰ（121）向上延展覆盖钝化层（210）的裸露部分，其上表面与介电层Ⅰ（310）的上表面齐平，所述包封层Ⅰ（121）为一体结构。