[实用新型]一种包覆型芯片尺寸封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种包覆型芯片尺寸封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着无线手持设备、掌上电脑以及其他移动电子设备的增加，消费者对各种小外形、特征丰富产品的需求也与日俱增，微电子封装技术面临着电子产品“高性价比、高可靠性、多功能、小型化及低成本”发展趋势带来的挑战和机遇。圆片级芯片尺寸封装技术满足了电子产品向更加小型、更多功能、更高可靠性对电路组件的要求。然而圆片级芯片尺寸封装也面临着一些问题，随着芯片变的小而薄，而且其侧壁没有保护，在SMT时芯片的取放会造成边角应力，甚至芯片碎裂。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种侧壁绝缘保护、不易漏电或短路、提高可靠性的包覆型芯片尺寸封装结构。

本实用新型的目的是这样实现的：

本实用新型一种包覆型芯片尺寸封装结构，其包括硅基本体和芯片电极，所述硅基本体的正面设置钝化层并开设钝化层开口，所述芯片电极由背面嵌入硅基本体的正面，所述钝化层开口露出芯片电极的正面。

所述钝化层的上表面设置介电层Ⅰ并开设介电层Ⅰ开口，所述介电层Ⅰ开口露出芯片电极的正面，所述介电层Ⅰ不覆盖到钝化层的边缘；

所述芯片电极的上表面设置凸块底部金属，所述凸块底部金属由下而上依次包括金属种子层Ⅰ、金属层Ⅰ，并在金属层Ⅰ上设置焊球；

所述硅基本体的四周和背面设置包封层Ⅰ，所述包封层Ⅰ向上延展覆盖钝化层的裸露部分，其上表面与介电层Ⅰ的上表面齐平，所述包封层Ⅰ为一体结构。

可选地，所述硅基本体的侧壁是垂直的。

可选地， 所述硅基本体的侧壁设有台阶。

可选地，所述硅基本体的背面设置硅基加强层。

本实用新型一种包覆型芯片尺寸封装结构，其包括硅基本体和芯片电极，所述硅基本体的正面设置钝化层并开设钝化层开口，所述芯片电极由背面嵌入硅基本体的正面，所述钝化层开口露出芯片电极的正面，所述钝化层的上表面设置介电层Ⅰ并开设介电层Ⅰ开口，所述介电层Ⅰ开口露出芯片电极的正面，所述介电层Ⅰ不覆盖到钝化层的边缘，其上依次覆盖金属种子层Ⅰ、金属层Ⅰ和介电层Ⅱ，所述介电层Ⅱ开设介电层开口露出金属层Ⅰ；

所述金属层Ⅰ的上表面设置凸块底部金属Ⅱ，所述凸块底部金属Ⅱ由下而上依次包括金属种子层Ⅱ、金属层Ⅱ，并在金属层Ⅱ上设置焊球；

所述硅基本体的四周和背面设置包封层Ⅱ，所述包封层Ⅱ向上延展覆盖钝化层的裸露部分，其上表面与介电层Ⅱ的上表面齐平，所述包封层Ⅱ为一体结构。

可选地，所述硅基本体的侧壁是垂直的。

可选地， 所述硅基本体的侧壁设有台阶。

可选地，所述硅基本体的背面设置硅基加强层。

本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型包覆型芯片封装结构侧壁和边角设置保护，加强了芯片拐角处的抗应力破裂强度，避免了芯片切割造成的芯片碎角或者侧壁开裂，同时降低了SMT时芯片取放造成芯片碎角、芯片碎裂等缺陷的发生几率，减少了漏电流的产生，提高了芯片的可靠性能，改善了芯片的良率；

2、本实用新型包覆型芯片封装结构上表面边缘、四周和下表明设置的包封层为一体结构，与同类产品如扇出型芯片尺寸封装技术封装的结构相比增强了包封层与侧壁的结合力，不容易因受力而脱落。

附图说明

图1为本实用新型一种包覆型芯片尺寸封装结构的正面示意图；

图2A、2B为本实用新型一种包覆型芯片尺寸封装结构的实施例一的A-A剖面示意图；

图3为本实用新型一种包覆型芯片尺寸封装结构的实施例二的A-A剖面示意图；

图4A、4B为本实用新型一种包覆型芯片尺寸封装结构的实施例三的剖面示意图；

其中：

硅基本体111

芯片电极113

包封层Ⅰ121

包封层Ⅱ123

钝化层210

钝化层开口213

介电层Ⅰ310

介电层Ⅰ开口311

金属种子层Ⅰ410

金属层Ⅰ510

介电层Ⅱ320

介电层Ⅱ开口321

金属种子层Ⅱ420

金属层Ⅱ520

焊球600。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。

实施例一