[实用新型]一种芯片测试结构有效
| 申请号： | 201720751090.7 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN206877988U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 王志强;韩坤 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立,朱毅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种芯片测试结构，从下至上依次包括基底层、层间介质隔离层和覆盖层；所述基底层上设置有多个等间距排列的浅槽隔离槽，所述层间介质隔离层填充所述浅槽隔离槽；所述层间介质隔离层上设置有多个等间距排列的第一测试端子和第二测试端子；所述第二测试端子和所述浅槽隔离槽对齐，所述第一测试端子位于两个相邻的所述第二测试端子的中间位置处，所述第一测试端子通过第一通孔连线连接所述基底层，所述第二测试端子通过第二通孔连线连接所述层间介质隔离层。本实用新型提供的芯片测试结构避免了测试端子底端因施加电压而产生结漏，从而提高测试的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片测试结构，其特征在于，从下至上依次包括基底层、层间介质隔离层和覆盖层；所述基底层上设置有多个等间距排列的浅槽隔离槽，所述浅槽隔离槽从所述基底层与所述层间介质隔离层结合的表面延伸至所述基底层内部，所述层间介质隔离层填充所述浅槽隔离槽；所述层间介质隔离层上设置有多个等间距排列的第一测试端子和第二测试端子，所述第一测试端子和所述第二测试端子从所述层间介质隔离层与所述覆盖层结合的表面延伸至所述层间介质隔离层内部；所述第二测试端子和所述浅槽隔离槽对齐，所述第一测试端子位于两个相邻的所述第二测试端子的中间位置处，所述第一测试端子通过第一通孔连线连接所述基底层，所述第二测试端子通过第二通孔连线连接所述层间介质隔离层。
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