[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201720720594.2 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN207398117U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | A·巴纳尔吉;A·康斯坦特;P·莫恩斯;B·D·耶格 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/482 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本实用新型涉及电子器件。电子器件可包括具有主表面的衬底；覆盖在所述衬底的所述主表面上面的单晶半导体膜；以及与所述单晶半导体膜相邻的多晶化合物半导体层。在一个实施方案中，所述多晶化合物半导体层具有至多1×10 |
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| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括：具有主表面的衬底；覆盖在所述衬底的所述主表面上面的单晶半导体膜；以及与所述单晶半导体膜相邻的多晶化合物半导体层，其中所述多晶化合物半导体层具有至多1×1016 原子/cm3 的掺杂物浓度，大于1×1017 供体/cm3 的供体浓度，并且所述多晶化合物半导体层是晶体管电极接触的一部分。
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