[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201720720594.2 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN207398117U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | A·巴纳尔吉;A·康斯坦特;P·莫恩斯;B·D·耶格 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/482 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
1.一种电子器件，包括：
具有主表面的衬底；
覆盖在所述衬底的所述主表面上面的单晶半导体膜；以及
与所述单晶半导体膜相邻的多晶化合物半导体层，其中所述多晶化合物半导体层具有至多1×10
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述单晶半导体膜和所述多晶化合物半导体层包括相同的III-N半导体材料。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述多晶化合物半导体层未掺杂。
4.根据权利要求1所述的电子器件，还包括互连件，其中所述互连件和多晶化合物半导体层的组合形成欧姆接触。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述单晶半导体膜是晶体管的沟道膜。
6.根据权利要求5所述的电子器件，还包括覆盖在所述沟道膜上面的阻挡膜，其中所述阻挡膜与所述沟道膜相比具有不同的组成，并且所述多晶化合物半导体层与所述沟道膜通过所述阻挡膜的至少一部分间隔开。
7.根据权利要求5所述的电子器件，还包括覆盖在所述沟道膜上面的阻挡膜，其中所述阻挡膜与所述沟道膜相比具有不同的组成，并且所述多晶化合物半导体层的一部分延伸穿过所述阻挡膜并接触所述沟道膜。
8.根据权利要求5所述的电子器件，还包括覆盖在所述沟道膜上面的阻挡膜，其中所述阻挡膜与所述沟道膜相比具有不同的组成，并且所述沟道膜是GaN膜，所述多晶化合物半导体层是GaN层，所述阻挡膜包括Al
9.根据权利要求8所述的电子器件，还包括栅极电极和互连件，其中：
所述多晶化合物半导体层未掺杂；
所述多晶化合物半导体层的第一部分是源极电极的一部分；
所述多晶化合物半导体层的第二部分是漏极电极的一部分；
所述沟道膜、所述源极电极、所述漏极电极和所述栅极电极是所述晶体管的部分；以及
所述互连件和多晶化合物半导体层的组合形成欧姆接触。
10.一种电子器件，包括：
具有主表面的衬底；
覆盖在所述衬底的所述主表面上面的单晶半导体膜；以及
与所述单晶半导体膜相邻的多晶化合物半导体层，其中所述多晶化合物半导体层的导电带的能级低于其费米能级。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720720594.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种摩托车座垫
- 下一篇：一种用于工厂合成气或尾气发酵处理的可移动实验室
