[实用新型]电子器件

说明书

本实用新型涉及电子器件。电子器件可包括具有主表面的衬底；覆盖在所述衬底的所述主表面上面的单晶半导体膜；以及与所述单晶半导体膜相邻的多晶化合物半导体层。在一个实施方案中，所述多晶化合物半导体层具有至多1×1016原子/cm3的掺杂物浓度，大于1×1017供体/cm3的供体浓度，并且所述多晶化合物半导体层是晶体管电极接触的部分。在另一个实施方案中，多晶化合物半导体层可与所述单晶半导体膜相邻，其中所述多晶化合物半导体层的导电带的能级低于其费米能级。本实用新型所要解决的问题是提高对半导体膜的接触电阻。本实用新型实现的技术效果是提供改进的电子器件。

技术领域

本公开涉及包括多晶化合物半导体层的电子器件。

背景技术

化合物半导体材料在提供硅器件无法实现的性能方面正变得越来越普遍。GaN允许为设备供电，是一种很有前景的材料。然而，形成与单晶GaN层的欧姆接触可涉及在高温下退火。对于基于Al的接触，退火可在800℃至900℃的温度范围内进行，并且可导致金属凹陷穿过AlGaN阻挡膜以及金属形态的不稳定性。或者，可使用重N+掺杂层，但这涉及在至少1000℃的温度退火很长一段时间来活化掺杂物。这种退火可导致底层和衬底中的一者或多者的降解。因此，需要没有上述高温处理的复杂问题的良好接触电阻。

实用新型内容

本实用新型所要解决的问题是提高对半导体膜的接触电阻。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种电子器件，该电子器件包括：具有主表面的衬底；覆盖衬底主表面的单晶半导体膜；以及与单晶半导体膜相邻的多晶化合物半导体层，其中所述多晶化合物半导体层具有至多1×1016原子/cm3的掺杂物浓度，大于1×1017供体/cm3的供体浓度，并且所述多晶化合物半导体层是晶体管电极接触的一部分。

在一个实施方案中，单晶半导体膜和多晶化合物半导体层包括相同的III-N半导体材料。

在另一个实施方案中，多晶化合物半导体层未掺杂。

在又一个实施方案中，电子器件还包括互连件，其中互连件和多晶化合物半导体层的组合形成欧姆接触。

在另一实施方案中，单晶半导体膜是晶体管的沟道膜。

在一个具体实施方案中，电子器件还包括覆盖沟道膜的阻挡膜，其中阻挡膜与沟道膜相比具有不同的组合物，并且多晶化合物半导体层与沟道膜通过阻挡层的至少一部分间隔开。

在另一个具体实施方案中，电子器件还包括覆盖沟道膜的阻挡膜，其中阻挡膜与沟道膜相比具有不同的组合物，并且多晶化合物半导体层的一部分延伸穿过阻挡膜并与沟道膜接触。

在另一个具体实施方案中，电子器件还包括覆盖沟道膜的阻挡膜，其中阻挡膜与沟道膜相比具有不同的组合物，并且沟道膜是GaN膜，多晶化合物半导体层是GaN层，并且阻挡膜包括AlyGa(1-y)N，其中0.05≤y≤0.3。

在一个更具体的实施方案中，电子器件还包括栅极电极，其中多晶化合物半导体层的第一部分是源极电极的一部分；多晶化合物半导体层的第二部分是漏极电极的一部分；并且沟道膜、源极、漏极和栅极电极均为晶体管的一部分。

在本实用新型的另一方面，提供了电子器件，该电子器件包括：具有主表面的衬底；覆盖衬底主表面的单晶半导体膜；以及与单晶半导体膜相邻的多晶化合物半导体层，其中多晶化合物半导体层的导电带的能级低于其费米能级。