[实用新型]一种硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构有效
| 申请号： | 201720659923.7 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN207183249U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏 | 申请（专利权）人： | 太极半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)32246 | 代理人： | 潘志渊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构，包含硅通孔内存芯片、基板和多根键合金线；基板的底面设置有电路，基板的中部设置有通槽；硅通孔内存芯片设置在基板上，硅通孔内存芯片上设置有多个硅通孔，硅通孔内存芯片的底面上设置有多个微型凸块；每根键合金线的两端均穿过通槽，电性连接于硅通孔内存芯片的底面和基板的底面；本实用新型方案的硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构，利用键合金线作为传输媒介，键合金线穿过基板上开设的通槽与硅通孔内存芯片实现信号互连，一方面的此铜基板可以封装常规内存芯片，也可以封装硅通孔芯片，节约成本；硅通孔内存芯片不需要通过倒装焊接于下层芯片或者基板之上，提高了封装效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 内存 芯片 铜基板 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构，其特征在于：包含硅通孔内存芯片（11）、基板（16）和多根键合金线（15）；所述基板（16）的底面设置有电路，基板（16）的中部设置有通槽（24）；所述硅通孔内存芯片（11）设置在基板（16）上，硅通孔内存芯片（11）上设置有多个硅通孔（18），硅通孔内存芯片（11）的底面上设置有多个微型凸块（13）；每根键合金线（15）的两端均穿过通槽（24），电性连接于硅通孔内存芯片（11）的底面和基板（16）的底面；所述硅通孔内存芯片（11）通过设置在通槽（24）两侧的胶水层（17）连接在基板（16）上；所述胶水层（17）与基板（16）之间设置有网板；所述网板的厚度为100微米。
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