[实用新型]一种硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构。

背景技术

现有的内存芯片产品的封装，一般是封装厂将全晶圆经过自己工厂研磨加工，芯片的厚度一般较厚200微米左右；而硅通孔内存芯片一般用于高端3维叠层获取高规格容量，单层硅通孔内存芯片厚度一般较薄60微米以下，通常采取倒装焊接于下层芯片或者基板之上，封装效率较低，成本较高。

实用新型内容

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构，包含硅通孔内存芯片、基板和多根键合金线；所述基板的底面设置有电路，基板的中部设置有通槽；所述硅通孔内存芯片设置在基板上，硅通孔内存芯片上设置有多个硅通孔，硅通孔内存芯片的底面上设置有多个微型凸块；每根键合金线的两端均穿过通槽，电性连接于硅通孔内存芯片的底面和基板的底面。

优选的，所述硅通孔内存芯片通过设置在通槽两侧的胶水层连接在基板上。

优选的，所述胶水层与基板之间设置有网板。

优选的，所述网板的厚度为100微米。

优选的，所述硅通孔内存芯片的底面上设置有多个用于连接多根键合金线的焊盘。

优选的，所述基板的底面设置有多个锡球。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型方案的硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构，利用键合金线作为传输媒介，键合金线穿过基板上开设的通槽与硅通孔内存芯片实现信号互连，一方面的此铜基板可以封装常规内存芯片，也可以封装硅通孔芯片，节约成本；硅通孔内存芯片不需要通过倒装焊接于下层芯片或者基板之上，提高了封装效率。

附图说明

下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：

附图1为本实用新型所述的硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构的剖视图；

附图2为本实用新型所述的硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构的平面图；

其中，11、硅通孔内存芯片；12、绝缘树脂；13、微型凸块；14、锡球；15、键合金线；16、基板；17、胶水层；18、硅通孔；24、通槽；25、焊盘。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

如图1-2所示，本实用新型所述的一种硅通孔内存芯片与铜基板的封装结构，包含硅通孔内存芯片11、基板16和多根键合金线15；所述基板16的底面设置有电路，基板16的中部设置有通槽24；所述硅通孔内存芯片11通过设置在通槽24两侧的胶水层17连接在基板16上，胶水层17与基板16之间设置有100微米厚的网板，来控制胶水的流动性，为防止胶水溢出到通槽24中；所述硅通孔内存芯片11上设置有多个硅通孔18，硅通孔内存芯片11的底面上设置有多个微型凸块13；每根键合金线15的两端均穿过通槽24，电性连接于硅通孔内存芯片11的底面和基板16的底面，硅通孔内存芯片11的底面上设置有多个用于连接多根键合金线15的焊盘25，基板16的底面设置有多个锡球14。

封装时，首先通过流动性好的胶水把硅通孔内存芯片11黏贴到基板16上，芯片粘贴时选取特制软性的吸嘴抓取；焊接金线，连接芯片与基板电路，通过绝缘树脂12合成整个腔体保护内部各个器件，并植入锡球14以便客户端将整体焊接到主板线路版上。

以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。