[实用新型]n型晶体硅双面电池

摘要

本实用新型提供一种n型晶体硅双面电池，包括衬底、p+型晶体硅层、p++型硅膜层、正面钝化减反射层、正面金属电极层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层和背面金属栅线电极，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面设有掺杂形成的p+型晶体硅层，p+型晶体硅层上局部设置p++型硅膜层，p+型晶体硅层与p++型硅膜层的共同正表面沉积正面钝化减反射层，正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与p++型硅膜层接触，n型晶体硅片的背面设置n++型硅膜层，n++型硅膜层表面沉积背面钝化减反射层；本实用新型避免了金属电极直接接触p+型掺杂层造成的接触区复合；并降低了金属栅线电极与p+型掺杂层之间的接触电阻。

主权项

一种n型晶体硅双面电池，其特征在于：包括衬底、p+型晶体硅层、p++型硅膜层、正面钝化减反射层、正面金属电极层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层和背面金属栅线电极，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面设有掺杂形成的p+型晶体硅层，p+型晶体硅层上局部设置p++型硅膜层，即p++型硅膜层仅设于正面金属电极层下方，p+型晶体硅层与p++型硅膜层的共同正表面沉积正面钝化减反射层，正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与p++型硅膜层接触，n型晶体硅片的背面设置n++型硅膜层，n++型硅膜层表面沉积背面钝化减反射层，背面金属电极层穿透背面钝化减反射层与n++型硅膜层接触。