[实用新型]n型晶体硅双面电池

权利要求书

1.一种n型晶体硅双面电池，其特征在于：包括衬底、p+型晶体硅层、p++型硅膜层、正面钝化减反射层、正面金属电极层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层和背面金属栅线电极，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面设有掺杂形成的p+型晶体硅层，p+型晶体硅层上局部设置p++型硅膜层，即p++型硅膜层仅设于正面金属电极层下方，p+型晶体硅层与p++型硅膜层的共同正表面沉积正面钝化减反射层，正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与p++型硅膜层接触，n型晶体硅片的背面设置n++型硅膜层，n++型硅膜层表面沉积背面钝化减反射层，背面金属电极层穿透背面钝化减反射层与n++型硅膜层接触。

2.如权利要求1所述的n型晶体硅双面电池，其特征在于：n型晶体硅片采用n型单晶硅片或n型多晶硅片，n型晶体硅片的电阻率在0.3~10Ωcm、厚度在50~500um。

3.如权利要求1所述的n型晶体硅双面电池，其特征在于：p+型晶体硅层的厚度在0.2~2um，方块电阻在20~200Ω/□。

4.如权利要求3所述的n型晶体硅双面电池，其特征在于：n++型硅膜层采用磷掺杂的非晶硅、非晶氧化硅、微晶硅、微晶氧化硅或多晶硅，n++型硅膜层厚度在10nm~10um。

5.如权利要求4所述的n型晶体硅双面电池，其特征在于：n++型硅膜层与n型晶体硅层之间附带一层超薄氧化硅层，超薄氧化硅层的厚度在1~3nm。

6.如权利要求5所述的n型晶体硅双面电池，其特征在于：p++型硅膜层为硼掺杂的非晶硅、非晶氧化硅、微晶硅、微晶氧化硅或多晶硅，p++型硅膜层厚度在10nm~10um。

7.如权利要求6所述的n型晶体硅双面电池，其特征在于：p++型硅膜层与p+型晶体硅层之间附带一层超薄氧化硅层，其厚度在1~3nm。

8.如权利要求7所述的n型晶体硅双面电池，其特征在于：正面钝化减反射层至少包含a-SiNx、a-SiOx、a-SiCx、a-SiCxNy、a-SiNxOy、a-AlOx中的任意一种或多种的组合，正面钝化减反射层厚度在60~150nm。

9.如权利要求1-8任一项所述的n型晶体硅双面电池，其特征在于：背面钝化减反射层至少包含a-SiNx、a-SiOx、a-SiCx、a-SiCxNy、a-SiNxOy、a-AlOx中的任意一种或多种的组合，背面钝化减反射层厚度在60~150nm。

10.如权利要求1-8任一项所述的n型晶体硅双面电池，其特征在于：正面金属电极层为Ag、Ni/Ag、Ni/Cu、Ni/Cu/Sn或Ni/Cu/Ag电极中的任意一种，背面金属栅线电极为Ag、Ni/Ag、Ni/Cu、Ni/Cu/Sn或Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。