[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201720305810.7 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN206742228U | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | F·J·卡尔尼;J·W·霍尔;M·J·塞登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件。本实用新型的一方面的目的是提供一种节省成本的半导体器件。半导体器件包括第一衬底；第二衬底；在所述第一衬底上方形成的第一导电层；在所述第二衬底上方形成的第二导电层，其中所述第二衬底邻近所述第一衬底设置；以及跨所述第一衬底的所述第一导电层和所述第二衬底的所述第二导电层而形成的互连件。本实用新型的一方面的技术效果是所提供的半导体器件是节省成本的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：第一衬底；第二衬底；在所述第一衬底上方形成的第一导电层；在所述第二衬底上方形成的第二导电层，其中所述第一衬底直接接触所述第二衬底以及所述第一导电层直接接触所述第二导电层，以形成半导体封装。
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