[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201720305810.7 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN206742228U | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | F·J·卡尔尼;J·W·霍尔;M·J·塞登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一衬底；
第二衬底；
在所述第一衬底上方形成的第一导电层；
在所述第二衬底上方形成的第二导电层，其中所述第一衬底直接接触所述第二衬底以及所述第一导电层直接接触所述第二导电层，以形成半导体封装。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一衬底的侧表面接触所述第二衬底的侧表面。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一导电层沿所述第一衬底的侧表面向下形成，并且所述第二导电层沿所述第二衬底的侧表面向下形成。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
所述第一衬底的侧表面的外延部；以及
所述第二衬底的侧表面的凹陷部，其中所述外延部被设置到所述凹陷部中，以联锁所述第一衬底和所述第二衬底。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一导电层在所述外延部上方延伸，并且所述第二导电层延伸到所述凹陷部中。
6.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一半导体管芯；以及
第二半导体管芯，所述第一半导体管芯的侧表面与所述第二半导体管芯的侧表面物理接触，并且所述第一半导体管芯电连接至所述第二半导体管芯，以形成半导体封装。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：
在所述第一半导体管芯上方形成的第一导电层；
在所述第二半导体管芯上方形成的第二导电层，其中第一导电层直接接触所述第二导电层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一导电层沿所述第一半导体管芯的侧表面向下形成，并且所述第二导电层沿所述第二半导体管芯的侧表面向下形成。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
所述第一半导体管芯的侧表面的外延部；以及
所述第二半导体管芯的侧表面的凹陷部，其中所述外延部被设置到所述凹陷部中，以联锁所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一导电层在所述外延部上方延伸，并且所述第二导电层延伸到所述凹陷部中。
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