[实用新型]半导体器件

说明书

本申请是申请日为2016年9月14日、申请号为201621057355.5、实用新型名称为“半导体器件”的实用新型申请的分案申请。

要求本国优先权

本申请要求由Francis J.CARNEY和Michael J.SEDDON发明的、提交于2015年9月17日的名称为“SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS”(半导体封装件及制造方法)的美国临时申请No.62/219,666的权益，该临时申请以引用方式并入本文，并且据此要求该申请的共同主题的优先权。

技术领域

本实用新型总体涉及半导体器件，更具体地讲涉及半导体器件和形成微互连结构的方法。

背景技术

半导体器件在现代电子产品中很常见。电子部件中半导体器件的数量和密度各不相同。半导体器件可执行多种多样的功能，诸如模数信号处理、传感器、电磁信号的发送和接收、电子器件控制、功率管理以及音频/视频信号处理。分立半导体器件通常包含一种类型的电子部件，例如，发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、二极管、整流器、晶闸管以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件通常包括数百至数百万的电子部件。集成半导体器件的例子包括微控制器、专用集成电路(ASIC)、标准逻辑、放大器、时钟管理、存储器、接口电路以及各种信号处理电路。

半导体器件的重要部分是半导体管芯之间的互连结构所需的区域。图1示出了已知的管芯间互连构造，其中半导体管芯50与半导体管芯52相邻(但隔开)设置。焊丝54在半导体管芯50的有源表面58上的接触垫56和半导体管芯52的有源表面62上的接触垫60之间提供电互连。要使焊丝54形成和成形，需要半导体管芯50和52之间隔开距离D1，还需要隔开专门的边缘间距D2。另外，半导体管芯通常预留专门的边缘空间，该专门的边缘空间在进行锯片改造时用作划道栅格，在划片街区(saw street)的裂痕扩散时用作裂痕止沟，或者在划片街区开裂时用于密封管芯边缘，最终防止水分进入有源区附近。管芯边缘空间的要求仍然不清楚。人们希望减小电互连所需的专门的边缘间距，以便尽量增大有源管芯区域，从而为给定半导体封装件提供信号处理功能，同时减小半导体封装件的总体占用面积。

本领域已经使用管芯堆叠技术来尽量减小半导体封装件占用面积，管芯堆叠对低功率技术(例如，存储器器件)有用。然而，热耗散和应力过度是堆叠管芯存在的问题，尤其是对于功率MOSFET和集成驱动器。管芯间互连的另一常见方法是使用硅通孔(TSV)，但硅通孔的制造成本极高。

实用新型内容

本实用新型的一方面的目的是提供一种节省成本的半导体器件。

本实用新型的至少一方面涉及一种半导体器件，其特征在于，包括：第一衬底；第二衬底；在所述第一衬底上方形成的第一导电层；在所述第二衬底上方形成的第二导电层，其中所述第二衬底邻近所述第一衬底设置；以及跨所述第一衬底的所述第一导电层和所述第二衬底的所述第二导电层而形成的互连件。

优选地，所述第一衬底的第一侧表面和所述第一导电层接触所述第二衬底的第一侧表面和所述第二导电层。

优选地，所述第一导电层沿所述第一衬底的所述第一侧表面向下形成，并且所述第二导电层沿所述第二衬底的所述第一侧表面向下形成。

优选地，半导体器件还包括：所述第一衬底的所述第一侧表面的外延部；以及所述第二衬底的所述第一侧表面的凹陷部，其中所述外延部被设置到所述凹陷部中，以联锁所述第一衬底和所述第二衬底。

优选地，所述第一导电层在所述外延部上方延伸，并且所述第二导电层延伸到所述凹陷部中。

优选地，半导体器件还包括邻近所述第一衬底设置的第三衬底，其中所述第三衬底的侧表面接触所述第一衬底的侧表面。

优选地，所述第一衬底包括多边形形状。

优选地，所述第一衬底包括第一半导体管芯，并且所述第二衬底包括第二半导体管芯。

优选地，所述第一导电层接触所述第二导电层。

本实用新型的至少一方面涉及一种半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体管芯；第二半导体管芯；在所述第一半导体管芯上方形成的第一导电层；以及在所述第二半导体管芯上方形成的第二导电层，其中所述第二半导体管芯邻近所述第一半导体管芯设置，其中所述第一半导体管芯的第一侧表面和所述第一导电层接触所述第二半导体管芯的第一侧表面和所述第二导电层。

本实用新型的一方面的技术效果是所提供的半导体器件是节省成本的。