[实用新型]半导体测试结构

摘要

本实用新型公开了一种半导体测试结构，包括两部分，第一部分为被测试结构，第二部分包括至少一个位于第二阱中的第二掺杂区，第二掺杂区的导电类型与第二阱的导电类型相反，至少一个所述第二掺杂区与所述栅极结构等电位；第二阱的导电类型与基底的导电类型相反，且所述第二阱与所述基底等位电连接，则第二部分相当于半导体测试结构的保护电路，保护电路为一双极型二极管。这样，双极型二极管不仅可以使半导体测试结构工作在反型模式下，而且也可以使所述半导体测试结构工作在累积模式下，从而提高半导体测试结构的可靠性。

主权项

一种半导体测试结构，位于一基底上，所述基底中至少设置有一隔离结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括两部分，第一部分和第二部分均位于所述基底上，且被所述隔离结构相隔离；所述第一部分包括：一第一阱，所述第一阱设置于所述基底中；一栅极结构，所述栅极结构位于所述第一阱之上；一源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述栅极结构的两侧且位于所述第一阱中的第一掺杂区；所述第二部分包括：一第二阱，所述第二阱位于所述基底中，所述第二阱的导电类型与所述基底的导电类型相反，且所述第二阱与所述基底等位电连接；至少一个位于所述第二阱中的第二掺杂区，所述第二掺杂区的导电类型与所述第二阱的导电类型相反，其中，至少一个所述第二掺杂区与所述栅极结构等电位。