[实用新型]半导体测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种半导体测试结构。

背景技术

MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)器件的栅极结构由衬底上形成的栅氧层以及沉积于栅氧层上的多晶硅层组成，栅氧层的漏电流与栅氧层质量关系极大，漏点增加到一定程度即构成击穿。随着超大规模集成电路器件尺寸等比例缩小，芯片面积不断增大，相应地栅氧层的总面积也增大，存在缺陷的概率将增加，同时栅氧层的厚度随着集成电路器件尺寸的缩小也在不断的减小，但是加载到栅极结构的电压并未随着集成电路器件尺寸等比例缩小而同比例的减小，这便导致栅氧层中电场强度的增加，所以栅氧层击穿在MOS器件的各种失效现象中最为常见。因此，栅氧层的完整性和抗击穿能力将直接影响到MOS器件的使用寿命。

半导体的GOI TDDB(Gate Oxide Integrity_Time Dependent Dielectric Breakdown，栅氧完整性经时击穿)测试是半导体测试中的一项非常重要的测试项目。它可以用来预测半导体器件的使用寿命。通常，在栅极结构上加恒定的电压，使器件处于积累状态，这就是一般所说的TDDB。经过一段时间后，栅氧层就会被击穿，在栅极结构上施加恒定电压开始到栅氧层被击穿结束的这段期间所经历的时间就是在该条件下的栅氧层寿命。而TDDB测试大体上可分为两大类：累积模式(accumulation mode)下的TDDB测试和反型模式(inversion mode)下的TDDB测试。

然而，目前还没有一种半导体测试结构能够同时实现上述两种模式下的TDDB测试。

实用新型内容

本实用新型提供一种新的半导体测试结构，既可实现在累积模式下的TDDB测试，也能实现在反型模式下的TDDB测试，从而提高半导体测试结构的可靠性。

为解决上述技术问题及相关问题，本实用新型提供的半导体测试结构，位于一基底上，所述基底中至少设置有一隔离结构，所述半导体测试结构包括两部分，第一部分和第二部分均位于所述基底上，且被所述隔离结构相隔离；

所述第一部分包括：

一第一阱，所述第一阱设置于所述基底中；

一栅极结构，所述栅极结构位于所述第一阱之上；

一源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述栅极结构的两侧且位于所述第一阱中的第一掺杂区；

所述第二部分包括：

一第二阱，所述第二阱位于所述基底中，,所述第二阱的导电类型与所述基底的导电类型相反，且所述第二阱与所述基底等位电连接；

至少一个位于所述第二阱中的第二掺杂区，所述第二掺杂区的导电类型与所述第二阱的导电类型相反，其中，至少一个所述第二掺杂区与所述栅极结构等电位。

可选的，在所述的半导体测试结构中，所述第一阱和第二阱的导电类型相同。

进一步的，在所述的半导体测试结构中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型相同。

进一步的，在所述的半导体测试结构中，所述第一掺杂区和第一阱的导电类型相反。

可选的，在所述的半导体测试结构中，所述第一阱和第二阱均为N型阱。

进一步的，所述半导体测试结构还包括：一第一终端，所述第一终端电连接所述栅极结构和至少一个所述第二掺杂区；一第二终端，所述第二终端电连接所述源极和漏极；一第三终端，所述第三终端电连接所述第二阱和基底。

进一步的，所述第一部分还包括一设置于所述第一阱中的第一拾取区，所述第一拾取区与所述第一掺杂区的导电类型相反，且所述第一拾取区与所述第一掺杂区通过一隔离结构相隔离，所述第三终端还电连接所述第一拾取区。

进一步的，所述第二部分还包括在所述第二阱中设置有第二拾取区，所述第二拾取区包括至少一个第三掺杂区，所述第三掺杂区的导电类型与所述第二掺杂区的导电类型相反，所述第三终端电连接至少一个所述第三掺杂区。

可选的，在所述的半导体测试结构中，所述第二阱中包括至少一个隔离结构，所述第二掺杂区与所述第二拾取区被所述隔离结构相隔离。

进一步的，所述第二拾取区包括至少两个以上的第三掺杂区；所述半导体测试结构还包括一第四终端，所述第四终端电连接没有被所述第三终端电连接的所述第三掺杂区。

可选的，所述第二部分还包括至少两个以上的第二掺杂区，所述第四终端还电连接所述第二部分中没有被所述第一终端电连接的所述第二掺杂区。