[实用新型]半导体测试结构

权利要求书

1.一种半导体测试结构，位于一基底上，所述基底中至少设置有一隔离结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括两部分，第一部分和第二部分均位于所述基底上，且被所述隔离结构相隔离；

所述第一部分包括：

一第一阱，所述第一阱设置于所述基底中；

一栅极结构，所述栅极结构位于所述第一阱之上；

一源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述栅极结构的两侧且位于所述第一阱中的第一掺杂区；

所述第二部分包括：

一第二阱，所述第二阱位于所述基底中，所述第二阱的导电类型与所述基底的导电类型相反，且所述第二阱与所述基底等位电连接；

至少一个位于所述第二阱中的第二掺杂区，所述第二掺杂区的导电类型与所述第二阱的导电类型相反，其中，至少一个所述第二掺杂区与所述栅极结构等电位。

2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一阱和第二阱的导电类型相同。

3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型相同。

4.如权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一掺杂区和第一阱的导电类型相反。

5.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一阱和第二阱均为N型阱。

6.如权利要求1至5任意一项所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括：一第一终端，所述第一终端电连接所述栅极结构和至少一个所述第二掺杂区；一第二终端，所述第二终端电连接所述源极和漏极；一第三终端，所述第三终端电连接所述第二阱和基底。

7.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一部分还包括一设置于所述第一阱中的第一拾取区，所述第一拾取区与所述第一掺杂区的导电类型相反，且所述第一拾取区与所述第一掺杂区通过一隔离结构相隔离，所述第三终端还电连接所述第一拾取区。

8.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二部分还包括在所述第二阱中设置有第二拾取区，所述第二拾取区包括至少一个第三掺杂区，所述第三掺杂区的导电类型与所述第二掺杂区的导电类型相反，所述第三终端电连接至少一个所述第三掺杂区。

9.如权利要求8所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二阱中包括至少一个隔离结构，所述第二掺杂区与所述第二拾取区被所述隔离结构相隔离。

10.如权利要求8所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二拾取区包括至少两个以上的第三掺杂区；所述半导体测试结构还包括一第四终端，所述第四终端电连接没有被所述第三终端电连接的所述第三掺杂区。

11.如权利要求10所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二部分还包括至少两个以上的第二掺杂区，所述第四终端还电连接所述第二部分中没有被所述第一终端电连接的所述第二掺杂区。

12.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括在所述基底中设置的第四掺杂区，所述第四掺杂区与所述基底的导电类型相同，所述第三终端电连接所述第四掺杂区。

13.如权利要求12所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第四掺杂区与所述第一阱或第二阱通过一隔离结构相隔离。

14.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构中还包括若干鳍结构，所述鳍结构位于所述基底之上，所述栅极结构横跨在所述鳍结构上。

15.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构中还包括若干个伪栅极结构，所述伪栅极结构与所述栅极结构平行设置。

16.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述基底为P型硅衬底。

17.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。