[发明专利]一种垂直结构的发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711464677.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108365067A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 朱酉良;徐晓丽;王亚洲 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直结构的发光二极管及其制备方法，包含依次生成的外延层、ITO层、反射层和金属势垒层；该外延层由N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层依次生成；该N‑GaN层上制备N‑电极；其中，在P‑GaN层上且位于该发光二极管与其相邻发光二极管之间的间隔位置处，通过刻蚀形成有底部为N‑GaN层的P‑台面结构；在外延层和ITO层之间还生成有绝缘层，该绝缘层图形化生长在P‑GaN层上，且完全覆盖P‑台面结构的底部和侧壁。本发明通过去除发光二极管边缘的多量子阱，避免由电流传导和N‑电极覆盖空隙引起的白光封装后的侧壁边缘及N‑电极未覆盖区域的漏蓝问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延层 制备 垂直结构 台面结构 电极 绝缘层 相邻发光二极管 多量子阱层 间隔位置处 金属势垒层 绝缘层图形 未覆盖区域 侧壁边缘 电极覆盖 电流传导 多量子阱 反射层 白光 侧壁 刻蚀 去除 封装 生长 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构的发光二极管，包含依次生成的外延层、ITO层、反射层和金属势垒层；所述的外延层由N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层依次生成；所述的N‑GaN层上制备N‑电极；其特征在于，在所述的P‑GaN层上且位于该发光二极管与其相邻发光二极管之间的间隔位置处，还通过刻蚀形成有底部为N‑GaN层的P‑台面结构；在所述的外延层和ITO层之间还生成有绝缘层，该绝缘层图形化生长在P‑GaN层上，且完全覆盖P‑台面结构的底部和侧壁。
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