[发明专利]采用不连续边界结构的半导体基板在审
| 申请号： | 201711413616.1 | 申请日： | 2017-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109962037A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 为了降低异质外延的片中应力，本发明提出一种采用不连续边界结构的半导体基板及其制造方法。通过在边界区域的特定位置移除边界结构，尤其是在边角附近移除边界结构，使在边角附近的应力能释放出来，从而避免了以边角为起源的裂痕。 | ||
| 搜索关键词： | 边界结构 边角 半导体基板 不连续 移除 边界区域 异质外延 应力能 裂痕 起源 释放 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶粒，其特征在于含有：一衬底，以及至少一在该衬底上通过一异质外延生长的半导体基板；至少一器件区域，所述器件区域由一边界区域包围并含有所述半导体基板；所述边界区域的衬底表面含有一不连续的边界结构，所述器件区域不含有该边界结构；所述器件区域构成一多边形，在所述多边形的至少一个边角附近，所述边界区域不含有所述边界结构。
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