[发明专利]采用不连续边界结构的半导体基板在审
| 申请号： | 201711413616.1 | 申请日： | 2017-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109962037A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边界结构 边角 半导体基板 不连续 移除 边界区域 异质外延 应力能 裂痕 起源 释放 制造 | ||
1.一种半导体晶粒，其特征在于含有：
一衬底，以及至少一在该衬底上通过一异质外延生长的半导体基板；
至少一器件区域，所述器件区域由一边界区域包围并含有所述半导体基板；
所述边界区域的衬底表面含有一不连续的边界结构，所述器件区域不含有该边界结构；
所述器件区域构成一多边形，在所述多边形的至少一个边角附近，所述边界区域不含有所述边界结构。
2.根据权利要求1所述的半导体晶粒，其特征还在于：该衬底含有一衬底材料，该半导体基板含有一个半导体材料，所述衬底材料与所述半导体材料晶格失配。
3.根据权利要求1所述的半导体晶粒，其特征还在于：该衬底含有一衬底材料，该半导体基板含有一个半导体材料，所述衬底材料与所述半导体材料热失配。
4.根据权利要求1所述的半导体晶粒，其特征还在于：所述边界区域的衬底表面还含有一中间结构，所述中间结构与所述边界结构具有不同的衬底表面且相互间隔。
5.根据权利要求4所述的半导体晶粒，其特征还在于：所述中间结构的衬底表面与所述器件区域的衬底表面相同。
6.根据权利要求4所述的半导体晶粒，其特征还在于：所述中间结构的衬底表面与所述器件区域的衬底表面不同。
7.根据权利要求1所述的半导体晶粒，其特征还在于：所述多边形为矩形、六边形或八角形。
8.根据权利要求1所述的半导体晶粒，其特征还在于：所述多边形的所有内角均为钝角。
9.根据权利要求1所述的半导体晶粒，其特征还在于：该边界结构为一凸起结构。
10.根据权利要求1所述的半导体晶粒，其特征还在于：该边界结构为一凹陷结构。
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