[发明专利]抗光照干扰的半导体芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201711401434.2 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108039318B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 广东高普达集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区华*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种抗光照干扰的半导体芯片的制作方法，包括：在硅衬底表面形成复合介质层，所述复合介质层包括刻蚀选择比不同的第一介质层和第二介质层；在所述复合介质层表面形成光刻胶，并通过光刻去除金属走线区域的光刻胶；利用所述光刻胶对所述复合介质层的第一介质层进行第一次刻蚀处理，以去除所述金属走线区域的第一介质层；对所述第二介质层进行第二次刻蚀处理，以去除所述金属走线区域的第一介质层，并使所述复合介质层形成T型台阶；利用所述T型台阶进行金属层生长，其中位于所述T型台阶直接且覆盖所述硅衬底的金属层作为金属走线，而覆盖所述T型台阶表面的金属层作为遮光层。 | ||
| 搜索关键词： | 光照 干扰 半导体 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗光照干扰的半导体芯片的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底表面形成复合介质层，所述复合介质层包括刻蚀选择比不同的第一介质层和第二介质层；在所述复合介质层表面形成光刻胶，并通过光刻去除金属走线区域的光刻胶；利用所述光刻胶对所述复合介质层的第一介质层进行第一次刻蚀处理，以去除所述金属走线区域的第一介质层；对所述第二介质层进行第二次刻蚀处理，以去除所述金属走线区域的第一介质层，并使所述复合介质层形成T型台阶；利用所述T型台阶进行金属层生长，其中位于所述T型台阶直接且覆盖所述硅衬底的金属层作为金属走线，而覆盖所述T型台阶表面的金属层作为遮光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
