[发明专利]抗光照干扰的半导体芯片的制作方法

说明书

本发明提供了一种抗光照干扰的半导体芯片的制作方法，包括：在硅衬底表面形成复合介质层，所述复合介质层包括刻蚀选择比不同的第一介质层和第二介质层；在所述复合介质层表面形成光刻胶，并通过光刻去除金属走线区域的光刻胶；利用所述光刻胶对所述复合介质层的第一介质层进行第一次刻蚀处理，以去除所述金属走线区域的第一介质层；对所述第二介质层进行第二次刻蚀处理，以去除所述金属走线区域的第一介质层，并使所述复合介质层形成T型台阶；利用所述T型台阶进行金属层生长，其中位于所述T型台阶直接且覆盖所述硅衬底的金属层作为金属走线，而覆盖所述T型台阶表面的金属层作为遮光层。

【技术领域】

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，特别地，涉及一种抗光照干扰的半导体芯片的制作方法。

【背景技术】

对于有些半导体芯片来说，是应用在有光线照射的场合，此时，光线对芯片的照射会造成芯片工作的异常。诸如发光二极管(LED)驱动控制芯片，LED灯是将几个LED芯片和LED驱动控制芯片共同封装在透明的环氧树脂内，此类产品的驱动控制芯片外没有不透明树脂封装，在光照的环境下驱动控制芯片的漏电流会增大，导致部分控制芯片出现功能异常，由于漏电流增大，表现为LED灯的工作出现异常。

为了解决这种问题，目前有一种办法：通过在钝化层表面生长一层金属，比如铝(Al)，然后光刻刻蚀这层金属，再刻蚀钝化层。依靠钝化层表面的这层不透光的金属层来遮光。其中，为了降低压焊块区域打线的金属线与钝化层表层遮光金属短路的风险，需要将钝化层的刻开区设置的小于遮光金属层的刻开区。

这种做法虽然能解决光的照射对芯片的影响，但是还是有一些明显的缺陷：对于钝化层表面的金属，为了使得钝化层的刻开窗口小于遮光金属层的刻开窗口，需要做单独的光刻、刻蚀、去胶步骤，工艺复杂；并且，由于增加了钝化层表面的金属，以及一系列工序，制造成本比较高。

有鉴于此，有必要提供一种抗光照干扰的半导体芯片的制作方法，以解决现有技术存在的上述问题。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种抗光照干扰的半导体芯片的制作方法。

本发明提供的抗光照干扰的半导体芯片的制作方法，包括：在硅衬底表面形成复合介质层，所述复合介质层包括刻蚀选择比不同的第一介质层和第二介质层；在所述复合介质层表面形成光刻胶，并通过光刻去除金属走线区域的光刻胶；利用所述光刻胶对所述复合介质层的第一介质层进行第一次刻蚀处理，以去除所述金属走线区域的第一介质层；对所述第二介质层进行第二次刻蚀处理，以去除所述金属走线区域的第一介质层，并使所述复合介质层形成T型台阶；利用所述T型台阶进行金属层生长，其中位于所述T型台阶直接且覆盖所述硅衬底的金属层作为金属走线，而覆盖所述T型台阶表面的金属层作为遮光层。

作为在本发明提供的抗光照干扰的半导体芯片的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述硅衬底是已经形成芯片的器件的硅衬底。

作为在本发明提供的抗光照干扰的半导体芯片的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第一介质层为二氧化硅层，而所述第二介质层为氮化硅层，所述氮化硅层和所述二氧化硅层依序形成在所述硅衬底的表面。

作为在本发明提供的抗光照干扰的半导体芯片的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第一介质层为氮化硅层，而所述第二介质层为二氧化硅层，所述二氧化硅层和所述氮化硅层依序形成在所述硅衬底的表面。

作为在本发明提供的抗光照干扰的半导体芯片的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第一次刻蚀采用湿法刻蚀或者干法刻蚀的方式对所述第一介质层进行刻蚀处理。

作为在本发明提供的抗光照干扰的半导体芯片的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第二次刻蚀采用湿法刻蚀或者各向同性的干法刻蚀方式对所述第二介质层进行刻蚀处理。