[发明专利]存储器及其制作方法有效
申请号: | 201711364213.2 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN109935588B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 王序扬;徐秉诚;邹世芳;林金隆;李易修;谷口浩二;王函隽;蔡综颖 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种存储器及其制作方法。该存储器的制作方法包含提供一基底,在基底中形成绝缘结构,定义出多个主动区。多条字符线形成在基底中,将各主动区区分成两个端部以及一个中间部。在基底上形成一图案化掩模层,包含多个岛状图案,各覆盖两相邻端部。以图案化掩模层为蚀刻掩模对基底进行第一蚀刻制作工艺,形成多个岛状结构以及围绕该多个岛状结构的一第一凹陷区域。在基底上形成多条穿越第一凹陷区域并且横跨主动区中间部的位线,其中岛状结构以及第一凹陷区域自该多条位线之间显露出来。 | ||
搜索关键词: | 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储器的制作方法,其特征在于,包含:提供一基底;在该基底中形成一绝缘结构,定义出多个主动区,各主动区包含两个端部以及位于两该端部之间的一中间部;在该基底上形成一图案化掩模层,包含多个岛状图案,各覆盖相邻该主动区的两相邻该端部;在该些岛状图案的侧壁形成一阻挡层;以该图案化掩模层以及该阻挡层为蚀刻掩模对该基底进行一第一蚀刻制作工艺,形成多个岛状结构以及一第一凹陷区域围绕该些岛状结构;以及移除该图案化掩模层,显露出该绝缘结构以及该主动区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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