[发明专利]集成电路转接板在审
| 申请号： | 201711349206.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108109989A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路转接板，包括：硅基衬底101、第一TSV孔102、第二TSV孔103、第一隔离沟槽104、第二隔离沟槽105、第三隔离沟槽106、第一二极管107、第二二极管108、插塞109、金属互连线110、凸点111及隔离层112；所述第一TSV孔102、所述第一隔离沟槽104、所述第一二极管107、所述第二隔离沟槽105、所述第二TSV孔103、所述第三隔离沟槽106及所述第二二极管108沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底101中。本发明提供的集成电路转接板，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离沟槽 二极管 集成电路 硅基衬 转接板 金属互连线 抗静电能力 层叠封装 转接 隔离层 插塞 凸点 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路转接板(100)，其特征在于，包括：硅基衬底(101)、第一TSV孔(102)、第二TSV孔(103)、第一隔离沟槽(104)、第二隔离沟槽(105)、第三隔离沟槽(106)、第一二极管(107)、第二二极管(108)、插塞(109)、金属互连线(110)、凸点(111)及隔离层(112)；所述第一TSV孔(102)、所述第一隔离沟槽(104)、所述第一二极管(107)、所述第二隔离沟槽(105)、所述第二TSV孔(103)、所述第三隔离沟槽(106)及所述第二二极管(108)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(101)中；所述第一TSV孔(102)、所述第二TSV孔(103)、所述第一隔离沟槽(104)、所述第二隔离沟槽(105)及所述第三隔离沟槽(106)均沿纵向贯穿所述硅基衬底(101)；其中，所述第一TSV孔(102)与所述第二TSV孔(103)中填充多晶硅，所述第一隔离沟槽(104)、所述第二隔离沟槽(105)及所述第三隔离沟槽(106)中填充二氧化硅；所述第一二极管(107)与所述第二二极管(108)的阳极设置于所述硅基衬底(101)上部，阴极设置于与所述硅基衬底(101)下部；所述隔离层(112)设置于所述硅基衬底(101)上下表面；所述插塞(109)设置于所述隔离层(112)中并分别位于所述多晶硅、所述第一二极管(107)及所述第二二极管(108)上下表面；所述金属互连线(110)设置于所述隔离层(112)中并经所述插塞(109)使所述第一TSV孔(102)、所述第一二极管(107)、所述第二TSV孔(103)及所述第二二极管(108)串行连接；所述凸点(111)设置于所述隔离层(112)中并经所述插塞(109)分别与所述第一TSV孔(102)的下端、所述第二TSV孔(103)的下端、所述第一二极管(107)的阴极及所述第二二极管(108)的阴极相连接。
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