[发明专利]用于系统级封装的防静电装置有效

专利信息
申请号: 201711349100.5 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN108109988B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 张捷 申请(专利权)人: 浙江清华柔性电子技术研究院
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L27/02;H01L21/768
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 314000 浙江省嘉兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种用于系统级封装的防静电装置,包括:Si衬底(101)、SCR管(102)、隔离区(103)、TSV区(104)、互连线(105)及金属凸点(106);其中,所述隔离区(103)和所述TSV区(104)均上下贯通所述Si衬底(101);所述SCR管(102)设置于所述Si衬底(101)内;所述隔离区(103)设置于所述SCR管(102)的两侧;所述TSV区(104)设置于由所述SCR管(102)和所述隔离区(103)形成区域的两侧;所述互连线(105)设置于所述Si衬底(101)上,用于连接所述TSV区(104)的第一端面和所述SCR管(102);所述金属凸点(106)设置于所述TSV区(104)的第一端面上。本发明通过在硅通孔转接板上设置SCR管作为防静电装置,解决了集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题,增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
搜索关键词: 用于 系统 封装 静电 装置
【主权项】:
1.一种用于系统级封装的防静电装置,其特征在于,包括:Si衬底(101)、SCR管(102)、隔离区(103)、TSV区(104)、互连线(105)及金属凸点(106);其中,所述隔离区(103)和所述TSV区(104)均上下贯通所述Si衬底(101);所述SCR管(102)设置于所述Si衬底(101)内;所述隔离区(103)设置于所述SCR管(102)的两侧;所述TSV区(104)设置于由所述SCR管(102)和所述隔离区(103)形成区域的两侧;所述互连线(105)设置于所述Si衬底(101)上用于连接所述TSV区(104)的第一端面和所述SCR管(102);所述金属凸点(106)设置于所述TSV区(104)的第一端面上。
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