[发明专利]用于系统级封装的防静电装置

权利要求书

1.一种用于系统级封装的防静电装置，其特征在于，包括：Si衬底(101)、可控硅SCR晶闸管(102)、两个隔离区(103)、两个硅通孔TSV区(104)、互连线(105)及金属凸点(106)；其中，

所述两个隔离区(103)和所述两个TSV区(104)均上下贯通所述Si衬底(101)；所述SCR管(102)设置于所述Si衬底(101)内；所述两个隔离区(103)分别设置于所述SCR管(102)的两侧；所述两个TSV区(104)分别设置于由所述SCR管(102)和所述两个隔离区(103)形成区域的两侧；所述互连线(105)设置于所述Si衬底(101)上用于连接所述TSV区(104)的第一端面和所述SCR管(102)；所述金属凸点(106)设置于所述TSV区(104)的第二端面上；其中，

所述TSV区(104)内的填充材料为多晶硅，所述多晶硅的掺杂浓度为2×10²¹cm^-3，掺杂材料为磷；

所述隔离区(103)、所述TSV区(104)的深度和所述Si衬底(101)的厚度相等，均为80～120μm；

还包括设置于所述Si衬底(101)表面的SiO₂绝缘层；

所述SCR管(102)周边被SiO₂绝缘层包围。

2.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述SCR管包括：N阱区和P阱区；其中，所述N阱区包括N阱接触区(2021)和阳极(2022)；所述P阱区包括阴极(2023)和P阱接触区(2024)。

3.根据权利要求2所述的防静电装置，其特征在于，所述N阱区的掺杂杂质为磷，掺杂浓度1×10¹⁷cm^-3；所述P阱区的掺杂杂质为硼，掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述Si衬底(101)的掺杂类型为P型，掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3，厚度为80～120μm。

5.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述两个TSV区(104)的第一端面和所述SCR管(102)与所述互连线(105)之间均设置有钨插塞。

6.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述两个TSV区(104)的第二端面和所述金属凸点(106)之间设置有钨插塞。

7.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述互连线(105)和所述金属凸点(106)的材料为铜。