[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711338301.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109962105B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李勇;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：形成覆盖鳍部柱沟道区和顶部区侧壁的侧墙；以所述侧墙为掩膜，在所述底部区侧壁表面形成第一导电结构；形成第一导电结构之后，去除所述侧墙；去除所述侧墙之后，在所述第一导电结构顶部形成栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部柱沟道区表面；形成所述栅极结构之后，在所述栅极结构顶部形成第二导电结构，所述第二导电结构位于所述鳍部柱顶部区表面。所述形成方法能够提高所形成半导体结构的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部柱，所述鳍部柱包括底部区，位于所述底部区上的沟道区以及位于所述沟道区上的顶部区；形成覆盖所述鳍部柱沟道区和顶部区侧壁的侧墙；以所述侧墙为掩膜，在所述底部区侧壁表面形成第一导电结构；形成第一导电结构之后，去除所述侧墙；去除所述侧墙之后，在所述第一导电结构顶部形成栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部柱沟道区表面；形成所述栅极结构之后，在所述栅极结构顶部形成第二导电结构，所述第二导电结构位于所述鳍部柱顶部区表面。
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