[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有鳍部柱，所述鳍部柱包括底部区，位于所述底部区上的沟道区以及位于所述沟道区上的顶部区；

形成覆盖所述鳍部柱沟道区和顶部区侧壁的侧墙；

以所述侧墙为掩膜，在所述底部区侧壁表面形成第一导电结构；

形成第一导电结构之后，去除所述侧墙；

去除所述侧墙之后，在所述第一导电结构顶部形成栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部柱沟道区表面；

形成所述栅极结构之后，在所述栅极结构顶部形成第二导电结构，所述第二导电结构位于所述鳍部柱顶部区表面；

所述侧墙的厚度为2nm～20nm；所述侧墙的高度为6nm～70nm。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部柱的材料为硅、锗、硅锗、碳化硅或III-V族元素组成的单晶体。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙的步骤包括：在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层表面与所述鳍部柱底部区顶部表面齐平；形成覆盖所述牺牲层表面、以及鳍部柱沟道区和顶部区侧壁的侧墙层，所述侧墙层与所述牺牲层的材料不相同；去除所述牺牲层和覆盖所述牺牲层的侧墙层，形成侧墙。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅或有机介质材料。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：在所述衬底上形成初始牺牲层，所述初始牺牲层表面高于所述鳍部柱底部区顶部表面；对所述初始牺牲层进行刻蚀，形成牺牲层，所述牺牲层表面齐平于所述底部区顶部表面。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始牺牲层的材料为氧化硅，形成所述初始牺牲层的工艺包括流体化学气相沉积工艺；或者，所述初始牺牲层的材料为有机介质材料，形成所述初始牺牲层的工艺包括旋涂工艺。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始牺牲层进行刻蚀的工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀中的一种或两种组合。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层和覆盖所述牺牲层的侧墙层的步骤包括：对所述侧墙层进行各向异性刻蚀，去除覆盖所述牺牲层的侧墙层，形成侧墙；所述各向异性刻蚀之后，去除所述牺牲层。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

10.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙层的工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成栅极结构之前，还包括：在所述第一导电结构顶部形成第一隔离层；

形成第二导电结构之前，还包括：在所述栅极结构顶部形成第二隔离层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或低k介质材料；所述第二隔离层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或低k介质材料。

13.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层之后，去除所述侧墙之前，还包括：在所述鳍部柱底部区中形成第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第一掺杂离子；所述第一导电结构位于所述第一掺杂区表面；形成所述栅极结构之后，形成第二导电结构之前，还包括：在所述鳍部柱顶部区中形成第二掺杂区，所述第二掺杂区中具有第二掺杂离子；所述第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反或相同。