[发明专利]一种自对准曝光半导体结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种自对准曝光半导体结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，形成栅极材料层；形成核心图形层，包括多个间隔的核心，且至少一个间隔的尺寸小于等于设定尺寸；在多个核心两侧形成侧壁，使得位于小于等于设定尺寸间隔中的侧壁相连，其余间隔的侧壁之间暴露出栅极材料层；去除核心图形层；刻蚀栅极材料层；去除侧壁，获得多个第一栅极和至少一个第二栅极，第二栅极的宽度大于第一栅极的宽度；在第二栅极上形成接触孔。本发明只经过一次曝光就完成栅极结构的改变，节省了工序，降低了生产成本；不再通过periphery区的延生栅极，而是让cell区的第二栅极直接连接接触孔，简化了布局，避免了cell区和periphery区混淆在一起，工艺简单有序，生产效率提高。

主权项

1.一种自对准曝光半导体结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极材料层；在所述栅极材料层上形成核心图形层，所述核心图形层包括多个间隔的核心，且至少一个间隔的尺寸小于等于设定尺寸；在所述栅极材料层上的多个所述核心两侧形成侧壁，使得位于小于等于设定尺寸的间隔中的两个侧壁相连接，其余间隔中的两个侧壁之间暴露出所述栅极材料层；去除所述核心图形层；以所述侧壁为掩膜刻蚀所述栅极材料层；去除所述侧壁，获得多个第一栅极和至少一个第二栅极，所述第二栅极的宽度大于所述第一栅极的宽度；以及在所述第二栅极上形成接触孔。