[发明专利]一种自对准曝光半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种自对准曝光半导体结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极材料层；

在所述栅极材料层上形成核心图形层，所述核心图形层包括多个间隔的核心，且至少一个间隔的尺寸小于等于设定尺寸，且小于等于设定尺寸的所述间隔中的两个所述核心的宽度不同；

在所述栅极材料层上的多个所述核心两侧形成侧壁，使得位于小于等于设定尺寸的间隔中的两个侧壁相连接，其余间隔中的两个侧壁之间暴露出所述栅极材料层；

去除所述核心图形层；

以所述侧壁为掩膜刻蚀所述栅极材料层；

去除所述侧壁，获得多个第一栅极和至少一个第二栅极，所述第二栅极的宽度大于所述第一栅极的宽度；以及在所述第二栅极上形成接触孔。

2.如权利要求1所述的自对准曝光半导体结构的制作方法，其特征在于，所述栅极材料层采用多晶硅或金属材质。

3.如权利要求1或2所述的自对准曝光半导体结构的制作方法，其特征在于，所述栅极材料层采用化学气相淀积工艺淀积而成。

4.如权利要求1或2所述的自对准曝光半导体结构的制作方法，其特征在于，所述栅极材料层下方还形成有栅极介质层。

5.如权利要求1所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，在所述栅极材料层上形成所述核心图形层的步骤包括：在所述栅极材料层上淀积核心图形材料层；

刻蚀所述核心图形材料层，得到多个间隔的核心，且至少一个间隔的尺寸小于等于设定尺寸。

6.如权利要求5所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，所述核心图形材料层为电介质薄膜和金属薄膜中的任意一种或任意多种的组合。

7.如权利要求5所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，所述核心图形层上还淀积有抗反射层。

8.如权利要求1或5所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，所述设定尺寸为0.020-0.090微米。

9.如权利要求1或5所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，在所述栅极材料层上的多个所述核心两侧形成侧壁的步骤包括：淀积间隔材料层，所述间隔材料层分布在多个所述核心和多个所述间隔暴露出的栅极材料层上；

刻蚀所述间隔材料层，在多个所述核心两侧形成侧壁，使得位于小于等于设定尺寸的间隔中的两个侧壁保持连接，其余间隔中的两个侧壁之间暴露出所述栅极材料层。

10.如权利要求9所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，所述间隔材料层采用氮化硅材质。

11.如权利要求9所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，所述间隔材料层利用原子层沉积工艺淀积而成。

12.如权利要求9所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，采用四氟化碳气体干法刻蚀工艺刻蚀所述间隔材料层，去除多个所述核心上的间隔材料层以及所述栅极材料层上间隔材料层的薄弱处。

13.如权利要求1所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述核心图形层。

14.如权利要求13所述的自对准曝光半导体结构的 制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺利用氢氟酸溶液进行。