[发明专利]封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711324834.8 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109920772B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/00;H01L21/48;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：晶圆，所述晶圆包括芯片区以及包围所述芯片区的外围区；第一布线层，所述第一布线层分立的分布于所述芯片区的晶圆上；上部钝化层，所述上部钝化层覆盖所述第一布线层的顶部和侧壁，且延伸至所述晶圆上；隔离层，所述隔离层位于所述上部钝化层上，所述隔离层设置于所述芯片区上且延伸至部分所述外围区上，所述外围区上的隔离层内具有包围所述芯片区的隔离槽，所述隔离槽贯穿所述隔离层的部分厚度。所述隔离槽能够阻断所述隔离层内应力作用的传导，实现所述隔离层内应力作用的释放，从而降低所述上部钝化层开裂的几率，减少所述第一布线层暴露现象的出现，提高所述封装结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：晶圆，所述晶圆包括芯片区以及包围所述芯片区的外围区；第一布线层，所述第一布线层分立的分布于所述芯片区的晶圆上；上部钝化层，所述上部钝化层覆盖所述第一布线层的顶部和侧壁，且延伸至所述晶圆上；隔离层，所述隔离层位于所述上部钝化层上，所述隔离层设置于所述芯片区上且延伸至部分所述外围区上，所述外围区上的隔离层内具有包围所述芯片区的隔离槽，所述隔离槽贯穿所述隔离层的部分厚度。
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