[发明专利]半导体元件的制作方法有效
| 申请号： | 201711323969.2 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109920761B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 简昌文;吴祥禄;洪钰珉;韩宗廷 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件的制作方法，包括以下步骤：提供基底，其中基底具有存储器区与电容区；于存储器区的基底上形成多条字线结构；于电容区的基底上形成电容结构；字线结构与电容结构各自包括位于基底上的第一介电层、位于第一介电层上的第一导体层、位于第一导体层上的第二介电层以及位于第二介电层上的第二导体层；移除字线结构的邻近存储器区的边缘的第二导体层，且同时移除电容结构的部分第二导体层，以于电容结构的第二导体层中形成暴露部分第二介电层的沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制作方法，包括：提供基底，所述基底具有存储器区与电容区；于所述存储器区的所述基底上形成多条字线结构，以及于所述电容区的所述基底上形成电容结构，其中所述字线结构与所述电容结构各自包括：第一介电层，位于所述基底上；第一导体层，位于所述第一介电层上；第二介电层，位于所述第一导体层上；以及第二导体层，位于所述第二介电层上；以及移除所述字线结构的邻近所述存储器区的边缘的所述第二导体层，且同时移除所述电容结构的部分所述第二导体层，以于所述电容结构的所述第二导体层中形成暴露部分所述第二介电层的沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
