[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201711321445.X | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108695377A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 赵南奎;权台纯;林青美;李正允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 鳍型有源区 半导体装置 源/漏区 上表面 源极/漏极 方向交叉 方向延伸 保护层 沟道区 侧壁 基底 分隔 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。
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