[发明专利]半导体装置

说明书

公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。

本申请要求于2017年4月5日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0044400号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的半导体装置。

背景技术

由于电子技术的发展，半导体装置的尺寸的减小(例如，半导体装置的缩小)正在迅速进行。为了增强缩小的半导体装置的性能，可以减小寄生电容。因此，缩小的半导体装置因具有优化的装置结构或优化的装置制造方法而受益，可以为了减小寄生电容来优化装置结构和装置制造方法。

发明内容

本公开提供了一种具有用于减小寄生电容的优化结构的半导体装置。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，具有有源区；至少一个纳米片堆叠结构，与有源区的上表面分隔开并且面对有源区的上表面，所述至少一个纳米片堆叠结构包括多个纳米片，所述多个纳米片均具有沟道区；栅极，在有源区上延伸以与有源区交叉并且覆盖所述至少一个纳米片堆叠结构，其中，栅极包括位于所述至少一个纳米片堆叠结构上的主栅极部分和设置在所述多个纳米片中的每个纳米片下方的子栅极部分；栅极绝缘层，位于所述至少一个纳米片堆叠结构与栅极之间；源/漏区，在所述至少一个纳米片堆叠结构的两侧上位于有源区上；外间隔件，位于所述多个纳米片上并覆盖主栅极部分的侧壁；内间隔件，位于源/漏区与栅极之间，并且位于所述多个纳米片之间；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片堆叠结构的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片堆叠结构之间。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并在第一方向上延伸；多个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且与鳍型有源区的上表面平行地彼此分隔开，所述多个纳米片中的每个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述多个纳米片中的每个的至少一部分，其中，栅极包括位于至少一个纳米片上的主栅极部分和设置在所述多个纳米片与鳍型有源区之间的多个子栅极部分；栅极绝缘层，位于所述多个纳米片与栅极之间；源/漏区，在所述至少一个纳米片的相对的侧上位于鳍型有源区上；内间隔件，位于源/漏区与子栅极部分之间并位于所述多个纳米片之间；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。

根据本公开的半导体装置，接触源/漏区的内间隔件包括在多个纳米片之间的每个空间中，从而减小了栅极与源/漏区之间的寄生电容。

在本公开的半导体装置中，源极/漏极保护层形成在多个纳米片的侧壁上，并且位于源/漏区与所述多个纳米片之间。源极/漏极保护层可以防止在制造半导体装置期间对源/漏区的损坏。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的实施例将被更加清楚地理解，其中：