[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；

至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；

栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；

源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；

源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源极/漏极保护层包括再生长层，所述再生长层在所述至少一个纳米片的侧壁上再生长。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源极/漏极保护层设置在片凹进区中，所述片凹进区从外间隔件的限定所述至少一个纳米片的侧壁沿第一方向凹进。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源极/漏极保护层还沿第一方向设置在源/漏区与栅极之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，内间隔件还设置在源/漏区与栅极之间并且设置在纳米片之间。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，源极/漏极保护层还沿第一方向设置在内间隔件与栅极之间。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，源极/漏极保护层还在内间隔件的一侧上设置在内间隔件与纳米片之间。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，内间隔件设置在从纳米片的侧壁沿第一方向凹进的凹进区中。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，内间隔件沿第一方向以朝向栅极的凸的形状突出。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，源极/漏极保护层和内间隔件形成为单个单元。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极包括主栅极部分和多个子栅极部分，所述主栅极部分在所述至少一个纳米片上沿垂直于第一方向的方向具有第一厚度，所述多个子栅极部分在垂直于第一方向的所述方向上具有第二厚度并且设置在所述至少一个纳米片与鳍型有源区之间，第二厚度比第一厚度小。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述多个子栅极部分之中最下面的子栅极部分的厚度比其它子栅极部分的厚度大。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，缓冲半导体层设置在所述多个子栅极部分之中靠近鳍型有源区的子栅极部分的两个侧壁上。

14.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，具有有源区；

至少一个纳米片堆叠结构，与有源区的上表面分隔开并且面对有源区的上表面，所述至少一个纳米片堆叠结构包括多个纳米片，所述多个纳米片均具有沟道区；

栅极，在有源区上延伸以与有源区交叉并且覆盖所述至少一个纳米片堆叠结构，其中，栅极包括位于所述至少一个纳米片堆叠结构上的主栅极部分和设置在所述多个纳米片中的每个纳米片下方的子栅极部分；

栅极绝缘层，位于所述至少一个纳米片堆叠结构与栅极之间；

源/漏区，在所述至少一个纳米片堆叠结构的两侧上位于有源区上；

外间隔件，位于所述多个纳米片上并覆盖主栅极部分的侧壁；

内间隔件，位于源/漏区与栅极之间，并且位于所述多个纳米片之间；

源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片堆叠结构的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片堆叠结构之间。