[发明专利]具有去耦合沟道的场效应晶体管及其制造方法

摘要

提供了一种具有去耦合沟道的场效应晶体管及其制造方法。所述场效应晶体管(FET)包括基底和鳍，所述鳍包括从基底去耦合的至少一个沟道区。FET还包括：源电极和漏电极，位于所述鳍的相对侧上；栅极堆叠体，沿着所述鳍的沟道区的一对侧壁延伸。栅极堆叠体包括栅极介电层和位于栅极介电层上的金属层。FET还包括将鳍的沟道区与基底分隔开的氧化物分隔区。氧化物分隔区包括包含栅极堆叠体的栅极介电层的一部分的介电材料。氧化物分隔区从沟道区的面对基底的表面完全地延伸到基底的面对沟道区的表面。

主权项

1.一种用于n型场效应晶体管器件和/或p型场效应晶体管器件的场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：基底；鳍，从基底去耦合，所述鳍包括至少一个沟道区；源电极和漏电极，位于鳍的相对侧上；栅极堆叠体，沿着鳍的所述至少一个沟道区的一对侧壁延伸，所述栅极堆叠体包括栅极介电层和位于栅极介电层上的金属层；氧化物分隔区，将鳍的所述至少一个沟道区与基底分隔开，所述氧化物分隔区包括介电材料，其中，所述氧化物分隔区的介电材料包括栅极堆叠体的栅极介电层的一部分，其中，所述氧化物分隔区从所述至少一个沟道区的面对基底的表面完全地延伸到基底的面对所述至少一个沟道区的表面。