[发明专利]具有去耦合沟道的场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种用于n型场效应晶体管器件和/或p型场效应晶体管器件的场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：

基底；

鳍，从基底去耦合，所述鳍包括至少一个沟道区；

源电极和漏电极，位于鳍的相对侧上；

栅极堆叠体，沿着鳍的所述至少一个沟道区的一对侧壁延伸，所述栅极堆叠体包括栅极介电层和位于栅极介电层上的金属层；

氧化物分隔区，将鳍的所述至少一个沟道区与基底分隔开，所述氧化物分隔区包括介电材料，

其中，所述氧化物分隔区的介电材料包括栅极堆叠体的栅极介电层的一部分，

其中，所述氧化物分隔区从所述至少一个沟道区的面对基底的表面完全地延伸到基底的面对所述至少一个沟道区的表面。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，沟道区具有4nm至10nm的沟道宽度，其中，沟道区具有20nm至80nm的沟道高度。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，沟道区具有4nm至7nm的沟道宽度，其中，沟道区具有40nm至80nm的沟道高度。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，沟道区具有5nm至6nm的沟道宽度，其中，沟道区具有45nm至55nm的沟道高度。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，沟道区具有8nm至30nm的沟道宽度，其中，沟道区具有5nm至20nm的沟道高度。

6.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，沟道区具有15nm至30nm的沟道宽度，其中，沟道区具有5nm至15nm的沟道高度。

7.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，氧化物分隔区具有1nm至5nm的厚度。

8.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，氧化物分隔区不在源电极或漏电极下面延伸。

9.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述至少一个沟道区是应变的。

10.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，鳍包括单个沟道区。

11.一种制造用于n型场效应晶体管器件和/或p型场效应晶体管器件的场效应晶体管的方法，所述方法包括：

在基底上形成堆叠体，所述堆叠体包括位于基底上的第一牺牲层和位于第一牺牲层上的导电沟道层，

对堆叠体进行蚀刻以形成包括至少一个导电沟道区的至少一个鳍；

在所述至少一个鳍的第一侧上形成源电极；

在所述至少一个鳍的与所述第一侧相对的第二侧上形成漏电极；

去除在所述至少一个导电沟道区与基底之间的剩余的第一牺牲层；

形成包括介电材料的氧化物分隔区，所述氧化物分隔区完全地填充先前由所述剩余的第一牺牲层占据的区域；

形成包括栅极介电层和位于栅极介电层上的金属层的栅极堆叠体，

其中，栅极堆叠体沿着所述至少一个导电沟道区的一对侧壁延伸。

12.如权利要求11所述的方法，其中，形成堆叠体的步骤还包括：在所述导电沟道层上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成第二导电沟道层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，对堆叠体进行蚀刻的步骤形成包括第一导电沟道区和堆叠在第一导电沟道区上的第二导电沟道区的至少一个鳍。

14.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括：形成第二氧化物分隔区，所述第二氧化物分隔区在第一导电沟道区和第二导电沟道区之间延伸。

15.如权利要求11所述的方法，其中，所述氧化物分隔区具有1nm至5nm的厚度。