[发明专利]半导体功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201711315083.3 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108110041B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体功率器件包括N型衬底、位于N型衬底上的第一层N型外延、位于第一层N型外延表面的第一、第二及第三沟槽、分别位于第一、第二及第三沟槽中的第一、第二及第三P型外延、形成于第一层N型外延、第一、第二及第三P型外延上的第二层N型外延，形成于第二层N型外延表面的第一、第二、第P型注入区、贯穿第一P型注入区及第二层N型外延的第四沟槽、贯穿第二P型注入区及第二层N型外延的第五沟槽、贯穿第三P型注入区及第二层N型外延的第六沟槽、形成于第四、第五、第六沟槽壁的氧化硅、形成于氧化硅表面的第四、第五、第六沟槽中且分别连接第一、第二、第三P型外延的多晶硅、及位于第二层N型外延表面的P型主结。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件，其包括有源区及位于所述有源区外围的终端结构区，其特征在于：所述半导体功率器件包括N型衬底、位于所述N型衬底上的第一层N型外延、位于所述终端结构区的所述第一层N型外延表面的第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽、位于所述第一沟槽中且延伸至所述第一层N型外延表面的第一P型外延、位于所述第二沟槽中且延伸至所述第一层N型外延表面的第二P型外延、位于所述第三沟槽中且延伸至所述第一层N型外延表面的第三P型外延、形成于所述第一层N型外延、所述第一、第二及第三P型外延上的第二层N型外延，形成于所述第二层N型外延表面且位于所述终端结构区分别对应所述第一、第二P及第三P型外延的第一、第二、第三P型注入区、贯穿所述第一P型注入区及所述第二层N型外延且对应所述第一P型外延的第四沟槽、贯穿所述第二P型注入区及所述第二层N型外延且对应所述第二P型外延的第五沟槽、贯穿所述第三P型注入区及所述第二层N型外延且对应所述第三P型外延的第六沟槽、形成于所述第四、第五、第六沟槽壁的氧化硅、形成于所述氧化硅表面的所述第四、第五、第六沟槽中且分别连接所述第一、第二、第三P型外延的多晶硅、及位于所述有源区的所述第二层N型外延表面的P型主结。
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