[发明专利]膜上芯片封装件在审
| 申请号： | 201711306816.7 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108878379A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄文静;林泰宏 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种膜上芯片封装件，其包含基底膜、图案化电路层、阻焊层、芯片和第一导电膜。基底膜包含第一表面和位于第一表面上的安装区域。图案化电路层设置在第一表面上。阻焊层部分地覆盖图案化电路层。芯片设置在安装区域中并且电连接到图案化电路层。第一导电膜覆盖第一阻焊层的至少一部分和暴露图案化电路层的至少一部分的开口，其中第一导电膜被配置成屏蔽芯片发出的电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)并且电连接到图案化电路层。 | ||
| 搜索关键词： | 图案化电路层 第一表面 阻焊层 安装区域 膜上芯片 导电膜 电连接 封装件 基底膜 芯片 导电膜覆盖 电磁干扰 屏蔽 开口 暴露 覆盖 配置 | ||
【主权项】：
1.一种膜上芯片封装件，其特征在于，包括：基底膜，其包括第一表面以及位于所述第一表面上的安装区域；图案化电路层，其设置在所述第一表面上；第一阻焊层，其部分地覆盖所述图案化电路层；芯片，其设置在所述安装区域中并且电连接到所述图案化电路层；以及第一导电膜，其被配置成屏蔽所述芯片发出的电磁干扰、覆盖所述第一阻焊层的至少一部分和暴露所述图案化电路层的至少一部分的开口，其中所述第一导电膜电连接到所述图案化电路层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联咏科技股份有限公司，未经联咏科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711306816.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维集成电路结构及其制造方法
- 下一篇：扇出型电子器件封装件
