[发明专利]一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管在审
| 申请号： | 201711305388.6 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN107994071A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张有润;陈航;路统霄;顾航;李俊焘;胡刚毅;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/165;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过将传统SiC UMOS器件的沟道体区与源区采用硅材料替换异质结UMOS器件，利用硅与二氧化硅之间良好的界面态以及硅材料的低禁带宽度，在保证反向耐压的同时，降低了导通电阻，提高了正向电流，并且在外加栅压使得沟道MOS电容迅速减小，栅压达到阈值电压后，反向传输电容减小，从而得到提高了器件的开关速度，降低了器件的开关损耗。并且通过合理设置保护区和JFET区，解决了由于SiC与Si界面势垒损害器件正向导通性能的问题以及由于沟槽栅结构底部电场集中效应、栅氧化层稳定性差以及硅低禁带宽度所导致耐压特性不足的问题，使得器件具有良好的反向耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 沟槽 绝缘 场效应 | ||
【主权项】：
一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，包括：第一导电类型半导体漏极欧姆接触区(8)，其正面和背面依次设有第一导电类型半导体漂移区(7)和漏电极(9)，第一导电类型半导体漂移区(7)的顶层中央具有沿器件垂直方向设置的沟槽，沟槽中设有栅电极(1)，栅电极(1)与沟槽内壁之间设有栅氧化层(2)，沟槽两侧的第一导电类型半导体漂移区(7)的顶层分别设有与栅氧化层(2)相接触的第二导电类型半导体沟道体区(6)，第二导电类型半导体沟道体区(6)的顶层设有与栅氧化层(2)相接触的第一导电类型半导体源区(3)，第一导电类型半导体源区(3)和第二导电类型半导体沟道体区(6)均与源电极(4)等电位；其特征在于：第一导电类型半导体源区(3)和第二导电类型半导体沟道体区(6)的材料为硅材料，第一导电类型半导体漂移区(7)和第一导电类型半导体漏极欧姆接触区(8)的材料为碳化硅。
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