[发明专利]一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管在审
| 申请号： | 201711305388.6 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN107994071A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张有润;陈航;路统霄;顾航;李俊焘;胡刚毅;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/165;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 沟槽 绝缘 场效应 | ||
1.一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，包括：第一导电类型半导体漏极欧姆接触区(8)，其正面和背面依次设有第一导电类型半导体漂移区(7)和漏电极(9)，第一导电类型半导体漂移区(7)的顶层中央具有沿器件垂直方向设置的沟槽，沟槽中设有栅电极(1)，栅电极(1)与沟槽内壁之间设有栅氧化层(2)，沟槽两侧的第一导电类型半导体漂移区(7)的顶层分别设有与栅氧化层(2)相接触的第二导电类型半导体沟道体区(6)，第二导电类型半导体沟道体区(6)的顶层设有与栅氧化层(2)相接触的第一导电类型半导体源区(3)，第一导电类型半导体源区(3)和第二导电类型半导体沟道体区(6)均与源电极(4)等电位；其特征在于：第一导电类型半导体源区(3)和第二导电类型半导体沟道体区(6)的材料为硅材料，第一导电类型半导体漂移区(7)和第一导电类型半导体漏极欧姆接触区(8)的材料为碳化硅。
2.根据权利要求1所述的一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，其特征在于：第二导电类型半导体沟道体区(6)与源电极(4)之间通过第二导电类型半导体源极欧姆接触区(5)相连实现等电位。
3.根据权利要求1所述的一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，其特征在于：所述第一导电类型半导体漂移区(7)中还具有第二导电类型半导体保护区(10)，所述第二导电类型半导体保护区(10)位于沟槽底部下方。
4.根据权利要求3所述的一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，其特征在于：所述第二导电类型半导体保护区(10)与源电极(4)和第二导电类型半导体沟道体区(6)相连，并且第二导电类型半导体沟道体区(6)为凹槽状使得源电极(4)延伸入其内。
5.根据权利要求3或4所述的一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，其特征在于：所述第一导电类型半导体漂移区(7)中还具有与第二导电类型半导体保护区(10)相接触的第一导电类型半导体JFET区(11)，所述第一导电类型半导体JFET区(11)位于第二导电类型半导体保护区(10)的上方和/或第二导电类型半导体保护区(10)之间。
6.根据权利要求1至5任一项所述的一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，其特征在于：第一导电类型半导体为N型半导体，第二导电类型半导体为P型半导体。
7.根据权利要求1至5任一项所述的一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，其特征在于：第一导电类型半导体为P型半导体，第二导电类型半导体为N型半导体。
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