[发明专利]半导体功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201711299150.7 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108054195A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法。所述半导体功率器件包括有源区及位于所述有源区外围的终端结构，所述终端结构包括分压区域，所述分压区域包括N型衬底、位于所述N型衬底上方的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的P型注入区、及介质材料，其中所述P型注入区表面具有凹槽，所述凹槽的底面具有台阶，所述介质材料位于所述凹槽中且覆盖所述台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件，其包括有源区及位于所述有源区外围的终端结构，所述终端结构包括分压区域，其特征在于：所述分压区域包括N型衬底、位于所述N型衬底上方的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的P型注入区、及介质材料，其中所述P型注入区表面具有凹槽，所述凹槽的底面具有台阶，所述介质材料位于所述凹槽中且覆盖所述台阶。
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