[发明专利]半导体功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其包括有源区及位于所述有源区外围的终端结构，所述终端结构包括分压区域，其特征在于：所述分压区域包括N型衬底、位于所述N型衬底上方的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的P型注入区、及介质材料，其中所述P型注入区表面具有凹槽，所述凹槽的底面具有台阶，所述介质材料位于所述凹槽中且覆盖所述台阶。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述凹槽的底面包括第一表面，所述台阶包括第二表面及连接于所述第一表面与所述第二表面之间的连接面，所述第一表面与所述第二表面平行。

3.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于：所述凹槽还包括第一侧面及第二侧面，所述第一侧面连接所述第一表面远离所述台阶的一端，所述第二侧面连接所述第二表面远离所述连接面的一端，所述连接面与所述第一表面与所述第二表面垂直连接，所述第一侧面与所述第一表面垂直连接，所述第二侧面与所述第二表面垂直连接。

4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述终端结构还包括截止环及划片道，所述截止环位于所述分压区域远离所述有源区的一侧，所述划片道位于所述截止环远离所述分压区域的一侧，所述N型外延层及所述N型衬底还延伸至所述有源区、所述截止环、及所述划片道，所述截止环包括形成于所述N型外延层表面且邻近所述划片道的另一P型注入区。

5.如权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于：所述有源区包括形成于所述N型外延层中的P柱，所述P柱、所述P型注入区与另一P型注入区是在同一注入步骤中形成。

6.一种半导体功率器件的制作方法，其包括如下步骤：

提供具有N型衬底的N型外延层，在所述N型外延层表面形成P型注入区；

使用光刻胶作为掩膜，进行干法刻蚀，在所述P型注入区表面形成凹槽，所述凹槽的底面具有台阶；及

在所述凹槽中填充介质材料，所述介质材料覆盖所述台阶，其中所述介质材料、所述P型注入区、所述凹槽及所述凹槽下方的N型外延层及N型衬底构成所述半导体功率器件的终端结构的分压区域。

7.如权利要求6所述的半导体功率器件的制作方法，其特征在于：所述凹槽的底面包括第一表面，所述台阶包括第二表面及连接于所述第一表面与所述第二表面之间的连接面，所述第一表面与所述第二表面平行。

8.如权利要求7所述的半导体功率器件的制作方法，其特征在于：所述凹槽还包括第一侧面及第二侧面，所述第一侧面连接所述第一表面远离所述台阶的一端，所述第二侧面连接所述第二表面远离所述连接面的一端，所述连接面与所述第一表面与所述第二表面垂直连接，所述第一侧面与所述第一表面垂直连接，所述第二侧面与所述第二表面垂直连接。

9.如权利要求6所述的半导体功率器件的制作方法，其特征在于：所述终端结构还包括有源区、截止环及划片道，所述有源区位于所述分压区域的内侧，所述截止环位于所述分压区域远离所述有源区的一侧，所述划片道位于所述截止环远离所述分压区域的一侧，所述N型外延层及所述N型衬底还延伸至所述有源区、所述截止环、及所述划片道，所述截止环包括形成于所述N型外延层表面且邻近所述划片道的另一P型注入区。

10.如权利要求9所述的半导体功率器件的制作方法，其特征在于：所述有源区包括形成于所述N型外延层中的P柱，所述P柱、所述P型注入区与另一P型注入区是在同一注入步骤中形成。