[发明专利]晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711279718.9 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107994070B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 赵瑜 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管，其包括：在基板上的缓冲层；在所述缓冲层上的沟道层；在所述沟道层上的栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上的栅极；其中，根据所述晶体管的沟道类型在所述缓冲层中植入相应的离子，以降低所述晶体管的阈值电压的漂移幅度。本发明还公开了一种晶体管的制作方法。本发明根据晶体管的沟道类型而植入相应的离子，以此来降低晶体管的阈值电压的漂移幅度，从而提高晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：/n在基板上的缓冲层；/n在所述缓冲层上的沟道层；/n在所述沟道层上的栅极绝缘层；以及/n在所述栅极绝缘层上的栅极；/n在所述栅极绝缘层和所述栅极上的第三绝缘层；/n在所述第三绝缘层和所述栅极绝缘层中的第一过孔和第二过孔；在所述第三绝缘层上的源极和漏极，所述源极填充所述第一过孔以与所述沟道层接触，所述漏极填充所述第二过孔以与所述沟道层接触；/n其中，根据所述晶体管的沟道类型在所述缓冲层中植入相应的离子，以降低所述晶体管的阈值电压的漂移幅度；/n所述缓冲层包括：/n在所述基板上的第一绝缘层；/n在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；/n其中，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层被植入所述相应的离子；/n所述第一绝缘层由硅的氮化物制作形成，所述第二绝缘层由硅的氧化物制作形成，所述沟道层由非晶硅制作形成。/n
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