[发明专利]晶体管及其制作方法

说明书

本发明公开了一种晶体管，其包括：在基板上的缓冲层；在所述缓冲层上的沟道层；在所述沟道层上的栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上的栅极；其中，根据所述晶体管的沟道类型在所述缓冲层中植入相应的离子，以降低所述晶体管的阈值电压的漂移幅度。本发明还公开了一种晶体管的制作方法。本发明根据晶体管的沟道类型而植入相应的离子，以此来降低晶体管的阈值电压的漂移幅度，从而提高晶体管的可靠性。

技术领域

本发明属于晶体管制作技术领域，具体地讲，涉及一种能够降低阈值电压的漂移幅度的晶体管及其制作方法。

背景技术

在显示产业中，器件可靠性一直是关乎产品寿命的关键，一般会使用偏压温度应力(Bias Temperature Stress，简称BTS)、击穿电压(Breakdown Voltage)等来判断薄膜晶体管(TFT)的可靠性。

在对薄膜晶体管进行BTS模拟产品使用时，主要做法是在一定高温下，薄膜晶体管的栅极被施加一定电压使薄膜晶体管的沟道开启，经过一段时间后测量薄膜晶体管的阈值电压，若薄膜晶体管的阈值电压漂移过大会导致薄膜晶体管的导通电流变化过大，从而影响产品品质。若薄膜晶体管的阈值电压漂移到一定程度后则不能正常使用。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种能够降低阈值电压的漂移幅度的晶体管及其制作方法。

根据本发明的一方面，提供了一种晶体管，其包括：在基板上的缓冲层；在所述缓冲层上的沟道层；在所述沟道层上的栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上的栅极；其中，根据所述晶体管的沟道类型在所述缓冲层中植入相应的离子，以降低所述晶体管的阈值电压的漂移幅度。

进一步地，所述缓冲层包括：在所述基板上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；其中，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层被植入所述相应的离子。

进一步地，当所述晶体管为n沟道晶体管时，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中被植入正离子，所述晶体管的阈值电压向负方向移动，从而所述晶体管的阈值电压的漂移幅度被降低。

进一步地，当所述晶体管为p沟道晶体管时，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中被植入负离子，所述晶体管的阈值电压向正方向移动，从而所述晶体管的阈值电压的漂移幅度被降低。

根据本发明的另一方面，还提供了一种晶体管的制作方法，其包括步骤：在基板上制作形成缓冲层；在所述缓冲层上制作形成沟道层；在所述沟道层上制作形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作形成栅极；其中，在制作形成所述缓冲层之后，根据所述晶体管的沟道类型在所述缓冲层中植入相应的离子，以降低所述晶体管的阈值电压的漂移幅度。

进一步地，在基板上制作形成缓冲层的具体方法包括：在基板上制作形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上制作形成第二绝缘层；其中，在所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中植入所述相应的离子。

进一步地，当所述晶体管为n沟道晶体管时，在所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中植入正离子，所述晶体管的阈值电压向负方向移动，从而所述晶体管的阈值电压的漂移幅度被降低。

进一步地，当所述晶体管为p沟道晶体管时，在所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中植入负离子，所述晶体管的阈值电压向正方向移动，从而所述晶体管的阈值电压的漂移幅度被降低。

进一步地，所述负离子包括氯离子或氟离子，所述正离子包括氢离子。

本发明的有益效果：本发明根据晶体管的沟道类型而植入相应的离子，以此来降低晶体管的阈值电压的漂移幅度，从而提高晶体管的可靠性。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1是根据本发明的实施例的晶体管的结构示意图；