[发明专利]晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

在基板上的缓冲层；

在所述缓冲层上的沟道层；

在所述沟道层上的栅极绝缘层；以及

在所述栅极绝缘层上的栅极；

在所述栅极绝缘层和所述栅极上的第三绝缘层；

在所述第三绝缘层和所述栅极绝缘层中的第一过孔和第二过孔；在所述第三绝缘层上的源极和漏极，所述源极填充所述第一过孔以与所述沟道层接触，所述漏极填充所述第二过孔以与所述沟道层接触；

其中，根据所述晶体管的沟道类型在所述缓冲层中植入相应的离子，以降低所述晶体管的阈值电压的漂移幅度；

所述缓冲层包括：

在所述基板上的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；

其中，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层被植入所述相应的离子；

所述第一绝缘层由硅的氮化物制作形成，所述第二绝缘层由硅的氧化物制作形成，所述沟道层由非晶硅制作形成。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，当所述晶体管为n沟道晶体管时，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中被植入正离子，所述晶体管的阈值电压向负方向移动，从而所述晶体管的阈值电压的漂移幅度被降低。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，当所述晶体管为p沟道晶体管时，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中被植入负离子，所述晶体管的阈值电压向正方向移动，从而所述晶体管的阈值电压的漂移幅度被降低。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述负离子包括氯离子或氟离子，所述正离子包括氢离子。

5.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

在基板上制作形成缓冲层；

在所述缓冲层上制作形成沟道层；

在所述沟道层上制作形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制作形成栅极；

在所述栅极绝缘层和所述栅极上形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层和所述栅极绝缘层中形成第一过孔和第二过孔；在所述第三绝缘层上形成源极和漏极，所述源极填充所述第一过孔以与所述沟道层接触，所述漏极填充所述第二过孔以与所述沟道层接触；

其中，在制作形成所述缓冲层之后，根据所述晶体管的沟道类型在所述缓冲层中植入相应的离子，以降低所述晶体管的阈值电压的漂移幅度；

其中，在基板上制作形成缓冲层的具体方法包括：

在基板上制作形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上制作形成第二绝缘层；

其中，在所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中植入所述相应的离子；

所述第一绝缘层由硅的氮化物制作形成，所述第二绝缘层由硅的氧化物制作形成，所述沟道层由非晶硅制作形成。

6.根据权利要求5所述的晶体管的制作方法，其特征在于，当所述晶体管为n沟道晶体管时，在所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中植入正离子，所述晶体管的阈值电压向负方向移动，从而所述晶体管的阈值电压的漂移幅度被降低。

7.根据权利要求6所述的晶体管的制作方法，其特征在于，当所述晶体管为p沟道晶体管时，在所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中植入负离子，所述晶体管的阈值电压向正方向移动，从而所述晶体管的阈值电压的漂移幅度被降低。

8.根据权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述负离子包括氯离子或氟离子，所述正离子包括氢离子。