[发明专利]一种提高平面VDMOS柵氧击穿的制造方法

摘要

本发明公开了一种提高平面VDMOS柵氧击穿的制造方法，其特征在于：包括外延层、阱区、源区、栅氧层、多晶层、多晶保形介质层、介质层和金属层。进行以下步骤：1)使用常规方法形成外延层。2)制备阱区和源区。3)进行栅氧层的淀积。4)进行多晶层的淀积和掺杂。5)进行多晶光刻刻蚀。6)使用低温LPCVD淀积SiO2的方式，形成多晶保形介质层。所述多晶保形介质层的厚度为10nm～60nm。7)使用常规方法进行介质层的淀积。8)进行孔光刻刻蚀、溅射互连金属。9)互连金属光刻刻蚀、合金。

主权项

1.一种提高平面VDMOS柵氧击穿的制造方法，其特征在于：包括外延层(1)、阱区(2)、源区(3)、栅氧层(4)、多晶层(5)、多晶保形介质层(6)、介质层(7)和金属层(8)；进行以下步骤：1)使用常规方法形成外延层(1)；2)制备阱区(2)和源区(3)；所述阱区(2)位于外延层(1)内，所述阱区(2)的上表面与外延层(1)的上表面共面；所述源区(3)位于阱区(2)内，所述阱区(2)的上表面与外延层(1)的上表面共面；3)进行栅氧层(4)的淀积；所述栅氧层(4)覆盖于外延层(1)的上表面；所述栅氧层(4)还覆盖于阱区(2)之上的部分表面；4)进行多晶层(5)的淀积和掺杂；所述多晶层(5)覆盖于栅氧层(4)的上表面；5)进行多晶光刻刻蚀；6)使用低温LPCVD淀积SiO2的方式，形成多晶保形介质层(6)；所述多晶保形介质层(6)覆盖于多晶层(5)的表面；所述多晶保形介质层(6)的厚度为10nm～60nm；7)使用常规方法进行介质层(7)的淀积；8)进行孔光刻刻蚀、溅射互连金属；9)互连金属光刻刻蚀、合金。