[发明专利]一种提高平面VDMOS柵氧击穿的制造方法在审
| 申请号： | 201711261016.8 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108198759A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 肖添;唐昭焕;王斌;吴雪;刘勇;钟怡;杨永晖;胡镜影;李孝权;黄彬 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 淀积 保形介质层 多晶 互连金属 多晶层 介质层 外延层 栅氧层 击穿 源区 阱区 金属层 溅射 制备 制造 合金 掺杂 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高平面VDMOS柵氧击穿的制造方法，其特征在于：包括外延层(1)、阱区(2)、源区(3)、栅氧层(4)、多晶层(5)、多晶保形介质层(6)、介质层(7)和金属层(8)；
进行以下步骤：
1)使用常规方法形成外延层(1)；
2)制备阱区(2)和源区(3)；
所述阱区(2)位于外延层(1)内，所述阱区(2)的上表面与外延层(1)的上表面共面；所述源区(3)位于阱区(2)内，所述阱区(2)的上表面与外延层(1)的上表面共面；
3)进行栅氧层(4)的淀积；
所述栅氧层(4)覆盖于外延层(1)的上表面；所述栅氧层(4)还覆盖于阱区(2)之上的部分表面；
4)进行多晶层(5)的淀积和掺杂；
所述多晶层(5)覆盖于栅氧层(4)的上表面；
5)进行多晶光刻刻蚀；
6)使用低温LPCVD淀积SiO2的方式，形成多晶保形介质层(6)；
所述多晶保形介质层(6)覆盖于多晶层(5)的表面；
所述多晶保形介质层(6)的厚度为10nm～60nm；
7)使用常规方法进行介质层(7)的淀积；
8)进行孔光刻刻蚀、溅射互连金属；
9)互连金属光刻刻蚀、合金。
2.根据权利要求1中所述的一种提高平面VDMOS柵氧击穿的制造方法，其特征在于：在加工过程中，高温推进工艺不采用带氧气氛围的工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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