[发明专利]存储器元件及其操作方法

摘要

一种存储器元件及其操作方法，存储器元件包括一外围电路部分及位于外围电路上的一阵列部分。阵列部分包括一底导电层；位于底导电层上的一隔离层；位于隔离层上的一半导体基材；位于半导体基材上的一多层叠层结构；位于一第一贯穿开口的侧壁上的一通道层；一存储层。底导电层与半导体基材是通过隔离层电性绝缘。多层叠层结构包括位于半导体基材上的第一绝缘层；位于第一绝缘层上的第一导电层；位于第一绝缘层之上的多个第二绝缘层；及与第二绝缘层交错叠层的多个第二导电层。第一贯穿开口暴露半导体基材。通道层电性接触半导体基材。存储层位于通道层与第一导电层之间及通道层与第二导电层之间。第一贯穿开口穿过多层叠层结构以暴露出半导体基材。

主权项

1.一种存储器元件，包括：一外围电路部分以及一阵列部分，其中该阵列部分位于该外围电路部分上，其中该阵列部分包括：一底导电层；一隔离层，位于底导电层上；一半导体基材，位于隔离层上，其中该底导电层与该半导体基材是通过该隔离层电性绝缘；一多层叠层结构，位于半导体基材上；其中该多层叠层结构包括：一第一绝缘层，位于该半导体基材上；一第一导电层，位于该第一绝缘层上；多个第二绝缘层，位于该第一绝缘层之上；以及多个第二导电层，与这些第二绝缘层交错叠层，且这些第二导电层是绝缘于该第一导电层；一通道层，位于至少一第一贯穿开口的至少一侧壁上，且电性接触该半导体基材，其中该第一贯穿开口穿过该多层叠层结构以暴露出该半导体基材；以及一存储层，位于该通道层与该第一导电层之间，以及该通道层与这些第二导电层之间。